产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD09P10-195-GE3
仓库库存编号:
SUD09P10-195-GE3CT-ND
别名:SUD09P10-195-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9024PBFCT-ND
别名:*IRFR9024TRPBF
IRFR9024PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 8.8A(Tc) 42W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP08P06PHXKSA1
仓库库存编号:
SPP08P06PHXKSA1-ND
别名:SP000446908
SPP08P06P G
SPP08P06P G-ND
SPP08P06P H
SPP08P06P H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9024PBF
仓库库存编号:
IRFU9024PBF-ND
别名:*IRFU9024PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Tc) 50W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PML260SN,118
仓库库存编号:
1727-7220-1-ND
别名:1727-7220-1
568-9716-1
568-9716-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N25C
仓库库存编号:
FQPF9N25C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP440PBF
仓库库存编号:
IRFP440PBF-ND
别名:*IRFP440PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N25CT
仓库库存编号:
FQPF9N25CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF9N25CYDTU
仓库库存编号:
FQPF9N25CYDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR9024TRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR9024TRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP440
仓库库存编号:
IRFP440-ND
别名:*IRFP440
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 450V 8.8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF744
仓库库存编号:
IRF744-ND
别名:*IRF744
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024
仓库库存编号:
IRFR9024-ND
别名:*IRFR9024
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TR
仓库库存编号:
IRFR9024TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9024
仓库库存编号:
IRFU9024-ND
别名:*IRFU9024
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 450V 8.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF744L
仓库库存编号:
IRF744L-ND
别名:*IRF744L
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRL
仓库库存编号:
IRFR9024TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9024TRR
仓库库存编号:
IRFR9024TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 450V 8.8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF744PBF
仓库库存编号:
IRF744PBF-ND
别名:*IRF744PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.8A(Tc) 74W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9N25C
仓库库存编号:
FQP9N25C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.8A(Tc) 74W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9N25CTSTU
仓库库存编号:
FQP9N25CTSTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.8A(Tc) 3.13W(Ta),74W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI9N25CTU
仓库库存编号:
FQI9N25CTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.8A(Tc) 3.13W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9N25CTM
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FQB9N25CTM-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 400V 8.8A(Tc) 90W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF11N40
仓库库存编号:
FQAF11N40-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Tc),
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