产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS496EDNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS496EDNT-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3.8W(Ta),52.1W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS439DNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS439DNT-T1-GE3CT-ND
别名:SIS439DNT-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA66DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA66DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50N04-5M6L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N04-5M6L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR164DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR164DP-T1-RE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR862DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR862DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR862DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50N04-5M6_T4GE3
仓库库存编号:
SQD50N04-5M6_T4GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 40V 50A(Tc) 136W(Tc) D-PAK(TO-252)
型号:
SQR50N04-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQR50N04-3M8_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR800DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR800DP-T1-RE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 71W(Tc) TO-252
型号:
SQD50N04-5M6_GE3
仓库库存编号:
SQD50N04-5M6_GE3-ND
别名:SQD50N04-5M6-GE3
SQD50N04-5M6-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 50A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50N05-11L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N05-11L_GE3-ND
别名:SQD50N05-11L-GE3
SQD50N05-11L-GE3-ND
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无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 4.8W(Ta),56W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7748DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7748DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7748DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 5.2W(Ta),69.4W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7370ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7370ADP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50N04-4M5L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N04-4M5L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 83.3W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N04-09H-E3
仓库库存编号:
SUD50N04-09H-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD50P03-07_GE3
仓库库存编号:
SQD50P03-07_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP50P03-07_GE3
仓库库存编号:
SQP50P03-07_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM50N04-4M0L_GE3
仓库库存编号:
SQM50N04-4M0L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM50P04-09L_GE3
仓库库存编号:
SQM50P04-09L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM50P06-15L_GE3
仓库库存编号:
SQM50P06-15L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM50P08-25L_GE3
仓库库存编号:
SQM50P08-25L_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP50N06-09L_GE3
仓库库存编号:
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产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7788DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7788DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7788DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE822DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE822DF-T1-E3TR-ND
别名:SIE822DF-T1-E3TR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM50N04-4M1_GE3
仓库库存编号:
SQM50N04-4M1_GE3-ND
别名:SQM50N04-4M1-GE3
SQM50N04-4M1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
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