产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(120)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(120)
筛选品牌
Vishay Siliconix (120)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46L
仓库库存编号:
IRFZ46L-ND
别名:*IRFZ46L
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220-5
型号:
IRCZ44PBF
仓库库存编号:
IRCZ44PBF-ND
别名:*IRCZ44PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE800DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE800DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE800DF-T1-E3CT
SIE800DFT1E3
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE820DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE820DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE820DF-T1-E3CT
SIE820DFT1E3
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE830DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE830DF-T1-E3CT-ND
别名:SIE830DF-T1-E3CT
SIE830DFT1E3
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),93W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM50N06-16L-E3
仓库库存编号:
SUM50N06-16L-E3CT-ND
别名:SUM50N06-16L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 50A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4448DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4448DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4448DY-T1-E3CT
SI4448DY-T1-GE3CT
SI4448DY-T1-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 4.8W(Ta),44.6W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR408DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR408DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR408DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 50A(Tc) 8.3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N02-04P-E3
仓库库存编号:
SUD50N02-04P-E3CT-ND
别名:SUD50N02-04P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 2.7W(Ta),59.5W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP50N03-5M1P-GE3
仓库库存编号:
SUP50N03-5M1P-GE3-ND
别名:SUP50N03-5M1P-GE3CT
SUP50N03-5M1P-GE3CT-ND
SUP50N035M1PGE3
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 50A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4448DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4448DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7156DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7156DP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7156DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7156DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE800DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE800DF-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE830DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE830DF-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(U)
型号:
SIE862DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE862DF-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 7.5W(Ta),62.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-11-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-11-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 80V 50A(Tc) 8.3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P08-26-E3
仓库库存编号:
SUD50P08-26-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD50N04-09H-GE3
仓库库存编号:
SQD50N04-09H-GE3CT-ND
别名:SQD50N04-09H-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44STRRPBF
仓库库存编号:
IRFZ44STRRPBFCT-ND
别名:IRFZ44STRRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号