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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR424DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR424DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR424DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR462DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR462DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR462DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.6W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR802DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR802DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR802DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.2W（Ta），50W（Tc） TO-252
  
  型号：FDD5690
  仓库库存编号：FDD5690CT-ND
  别名：FDD5690CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS892DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS892DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS892DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD30NF03LT4
  仓库库存编号：497-3157-1-ND
  别名：497-3157-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7852ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP30N06
  仓库库存编号：FQP30N06FS-ND
  别名：FQP30N06-ND
  FQP30N06FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 30A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ461EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ461EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ461EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP36NF06L
  仓库库存编号：497-7522-5-ND
  别名：497-7522-5
  STP36NF06L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NF20
  仓库库存编号：497-5825-5-ND
  别名：497-5825-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF47P06
  仓库库存编号：FQPF47P06FS-ND
  别名：FQPF47P06-ND
  FQPF47P06FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW26NM50
  仓库库存编号：497-3264-5-ND
  别名：497-3264-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N60L2
  仓库库存编号：IXTH30N60L2-ND
  别名：622201
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N60L2
  仓库库存编号：IXTT30N60L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S2L23ATMA3
  仓库库存编号：IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND
  别名：IPD30N06S2L23ATMA3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 41W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN022-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7117-1-ND
  别名：1727-7117-1
  568-9487-1
  568-9487-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS468DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS468DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS468DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4164DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4164DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4164DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2908TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR2908TRLPBFCT-ND
  别名：IRLR2908TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN022-30PL,127
  仓库库存编号：1727-5893-ND
  别名：1727-5893
  568-7512-5
  568-7512-5-ND
  934063985127
  PSMN022-30PL,127-ND
  PSMN02230PL127
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7852ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7852ADP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ34PBF
  仓库库存编号：IRFZ34PBF-ND
  别名：*IRFZ34PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLIZ44GPBF
  仓库库存编号：IRLIZ44GPBF-ND
  别名：*IRLIZ44GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP250PBF
  仓库库存编号：IRFP250PBF-ND
  别名：*IRFP250PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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