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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P
  仓库库存编号：SPD30P06PINCT-ND
  别名：SPD30P06PINCT
  SPD30P06PXTINCT
  SPD30P06PXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105Z
  仓库库存编号：IRFR4105Z-ND
  别名：*IRFR4105Z
  SP001571602
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4105Z
  仓库库存编号：IRFU4105Z-ND
  别名：*IRFU4105Z
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTR
  仓库库存编号：IRFR4105ZTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTRL
  仓库库存编号：IRFR4105ZTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTRR
  仓库库存编号：IRFR4105ZTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 30A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 30A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3504PBF
  仓库库存编号：IRFU3504PBF-ND
  别名：*IRFU3504PBF
  SP001568168
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRLZ34NLPBF
  仓库库存编号：IRLZ34NLPBF-ND
  别名：*IRLZ34NLPBF
  SP001552974
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LAT
  仓库库存编号：IPB14N03LAT-ND
  别名：SP000016324
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L07T
  仓库库存编号：SPD30N03S2L07T-ND
  别名：SP000013749
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L10T
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10T-ND
  别名：SP000016254
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 75W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH3075L,115
  仓库库存编号：PH3075L,115-ND
  别名：934058853115
  PH3075L T/R
  PH3075L T/R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB11N03LA
  仓库库存编号：IPB11N03LA-ND
  别名：IPB11N03LAT
  SP000014987
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB11N03LA G
  仓库库存编号：IPB11N03LA G-ND
  别名：IPB11N03LAGXT
  SP000103306
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO263-3
  
  型号：IPB13N03LB
  仓库库存编号：IPB13N03LB-ND
  别名：IPB13N03LBT
  SP000064218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LA G
  仓库库存编号：IPB14N03LA G-ND
  别名：IPB14N03LAGXT
  SP000085264
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD10N03LA
  仓库库存编号：IPD10N03LA-ND
  别名：IPD10N03LAT
  SP000014983
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD10N03LA G
  仓库库存编号：IPD10N03LA G-ND
  别名：IPD10N03LAGXT
  SP000017602
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD20N03L
  仓库库存编号：IPD20N03L-ND
  别名：IPD20N03LT
  SP000016259
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD20N03L G
  仓库库存编号：IPD20N03L G-ND
  别名：IPD20N03LGXT
  SP000017603
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD230N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD230N06NGBTMA1TR-ND
  别名：IPD230N06N G
  IPD230N06N G-ND
  IPD230N06NGXT
  SP000204196
  SP000450200
  
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  MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF10N03LA
  仓库库存编号：IPF10N03LA-ND
  别名：IPF10N03LAT
  SP000014985
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF10N03LA G
  仓库库存编号：IPF10N03LA G-ND
  别名：IPF10N03LAGXT
  SP000017609
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI11N03LA
  仓库库存编号：IPI11N03LA-ND
  别名：IPI11N03LAX
  SP000014988
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI14N03LA
  仓库库存编号：IPI14N03LA-ND
  别名：IPI14N03LAX
  SP000014029
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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