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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 290W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA30N40
  仓库库存编号：FQA30N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR4105ZTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR4105ZTRPBF
  IRFR4105ZPBFCT
  IRFR4105ZPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.6W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA10DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA10DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA10DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S2L13ATMA4
  仓库库存编号：IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
  别名：IPD30N06S2L13ATMA4CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P G
  仓库库存编号：SPD30P06P GCT-ND
  别名：SPD30P06P GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRLZ34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRLZ34NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ34NPBF
  仓库库存编号：IRLZ34NPBF-ND
  别名：*IRLZ34NPBF
  SP001553290
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLIZ44NPBF
  仓库库存编号：IRLIZ44NPBF-ND
  别名：*IRLIZ44NPBF
  SP001558208
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R125C6
  仓库库存编号：IPA60R125C6-ND
  别名：IPA60R125C6XKSA1
  SP000685848
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG32N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHG32N50D-GE3-ND
  别名：SIHG32N50DGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N03S4L14ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N03S4L-14CT
  IPD30N03S4L-14CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4105ZPBF
  仓库库存编号：IRFU4105ZPBF-ND
  别名：*IRFU4105ZPBF
  SP001552434
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114648
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R125C6
  仓库库存编号：IPP60R125C6-ND
  别名：IPP60R125C6XKSA1
  SP000685844
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125C6
  仓库库存编号：IPW60R125C6-ND
  别名：IPW60R125C6FKSA1
  SP000641912
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6030ENX
  仓库库存编号：R6030ENX-ND
  别名：R6030ENXCT
  R6030ENXCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6030ENZC8
  仓库库存编号：R6030ENZC8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6030ENZ1C9
  仓库库存编号：R6030ENZ1C9-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 415W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30F50B
  仓库库存编号：APT30F50B-ND
  别名：APT30F50BMP
  APT30F50BMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM042N03CS RLG
  仓库库存编号：TSM042N03CS RLGTR-ND
  别名：TSM042N03CS RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM042N03CS RLG
  仓库库存编号：TSM042N03CS RLGCT-ND
  别名：TSM042N03CS RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM042N03CS RLG
  仓库库存编号：TSM042N03CS RLGDKR-ND
  别名：TSM042N03CS RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJB00EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJB00EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJB00EP-T1_GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ974EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ974EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ974EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJB90EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJB90EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJB90EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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