产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL60NH3LL
仓库库存编号:
497-5246-1-ND
别名:497-5246-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NF20
仓库库存编号:
497-7946-1-ND
别名:497-7946-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 30A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF45N10F7
仓库库存编号:
497-14555-5-ND
别名:497-14555-5
STF45N10F7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 57W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW38N65M5
仓库库存编号:
497-15006-5-ND
别名:497-15006-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP38N65M5
仓库库存编号:
497-13112-5-ND
别名:497-13112-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF38N65M5
仓库库存编号:
497-13102-5-ND
别名:497-13102-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S215ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S215ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S215ATMA2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA96EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA96EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA96EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA86EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA86EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA86EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA00EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA00EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA00EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 56W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ486EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ486EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ486EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL30P3LLH6
仓库库存编号:
497-15313-1-ND
别名:497-15313-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
PCH -20V -30A MIDDLE POWER MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 20W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3C150BCTB
仓库库存编号:
RQ3C150BCTBCT-ND
别名:RQ3C150BCTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB60EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB60EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB60EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB40EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB40EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB40EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号:
SQD70140EL_GE3TR-ND
别名:SQD70140EL_GE3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号:
SQD70140EL_GE3CT-ND
别名:SQD70140EL_GE3-ND
SQD70140EL_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ500AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ500AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ500AEP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 30A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ403BEEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ403BEEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ403BEEP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL30N10F7
仓库库存编号:
497-14540-1-ND
别名:497-14540-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 60V 30A UG-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 1W(Ta),25W(Tc) U-DL
型号:
2SK302500L
仓库库存编号:
2SK302500LCT-ND
别名:2SK302500LCT
2SK3025U0LCT
2SK3025U0LCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS
型号:
RCJ300N20TL
仓库库存编号:
RCJ300N20TLCT-ND
别名:RCJ300N20TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 30A
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ463EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ463EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ463EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB30NF20L
仓库库存编号:
497-13392-1-ND
别名:497-13392-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB38N65M5
仓库库存编号:
497-13086-1-ND
别名:497-13086-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
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