产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 305W（Tc） TO-247
型号：
R6030KNZ1C9
仓库库存编号：
R6030KNZ1C9-ND
别名：R6030KNZ1C9TR
R6030KNZ1C9TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-3PF
型号：
R6030KNZC8
仓库库存编号：
R6030KNZC8-ND
别名：R6030KNZC8TR
R6030KNZC8TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 176W（Tc） TO-252AA
型号：
IXFY30N25X3
仓库库存编号：
IXFY30N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 176W（Tc） TO-220
型号：
IXFP30N25X3
仓库库存编号：
IXFP30N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） TO-220
型号：
IXFP30N25X3M
仓库库存编号：
IXFP30N25X3M-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 176W（Tc） TO-263
型号：
IXFA30N25X3
仓库库存编号：
IXFA30N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 30A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 695W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N85X
仓库库存编号：
IXFH30N85X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 695W（Tc） TO-268（IXFT）
型号：
IXFT30N85XHV
仓库库存编号：
IXFT30N85XHV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Cree/Wolfspeed
1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 113.6W（Tc） D2PAK-7
型号：
C3M0075120J
仓库库存编号：
C3M0075120J-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 40V 30A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tj） Power56
型号：
FDMS9411L_F085
仓库库存编号：
FDMS9411L_F085CT-ND
别名：FDMS9411L_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
POWER TRENCH MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tj） Power56
型号：
FDMS86381_F085
仓库库存编号：
FDMS86381_F085CT-ND
别名：FDMS86381_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR850DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR850DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR850DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB6030PL
仓库库存编号：
NDB6030PLFSCT-ND
别名：NDB6030PLFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7738DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7738DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7738DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FQPF47P06YDTU
仓库库存编号：
FQPF47P06YDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ30N60X
仓库库存编号：
IXFQ30N60X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50Q3
仓库库存编号：
IXFH30N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 227.2W（Tc） TO-3PSG
型号：
RJK60S7DPK-M0#T0
仓库库存编号：
RJK60S7DPK-M0#T0-ND
别名：RJK60S7DPKM0T0
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34.7W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK60S7DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK60S7DPP-E0#T2-ND
别名：RJK60S7DPPE0T2
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50Q3
仓库库存编号：
IXFT30N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N03L G
仓库库存编号：
IPD135N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD135N03L GCT
IPD135N03L GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S4L-09
仓库库存编号：
IPD30N03S4L-09INCT-ND
别名：IPD30N03S4L-09INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 46W（Tc） P-TO252-3
型号：
IPF13N03LA G
仓库库存编号：
IPF13N03LAGINCT-ND
别名：IPF13N03LAG
IPF13N03LAGINCT
IPF13N03LAINCT
IPF13N03LAINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR426DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR426DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR426DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS435DNT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS435DNT-T1-GE3CT-ND
别名：SIS435DNT-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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