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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N10S3L34ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N10S3L-34CT
  IPD30N10S3L-34CT-ND
  IPD30N10S3L34ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS890DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS890DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS890DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ34PBF
  仓库库存编号：IRLZ34PBF-ND
  别名：*IRLZ34PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 214W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP250MPBF
  仓库库存编号：IRFP250MPBF-ND
  别名：SP001566168
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 30A（Tc） 800W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN30N100L
  仓库库存编号：IXTN30N100L-ND
  别名：Q3424174
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114652
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：STP36N60M6
  仓库库存编号：497-17552-ND
  别名：497-17552
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 208W（Tc） TO-247
  
  型号：STW36N60M6
  仓库库存编号：497-17553-ND
  别名：497-17553
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 66W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM340N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM340N06CP ROGTR-ND
  别名：TSM340N06CP ROGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 66W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM340N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM340N06CP ROGCT-ND
  别名：TSM340N06CP ROGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 66W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM340N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM340N06CP ROGDKR-ND
  别名：TSM340N06CP ROGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 30A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIAA40DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIAA40DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIAA40DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 94.9W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y38-100E,115
  仓库库存编号：1727-1498-1-ND
  别名：1727-1498-1
  568-10978-1
  568-10978-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA88EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA88EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA88EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA60EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA60EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA60EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJB80EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJB80EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJB80EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJB42EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJB42EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJB42EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB36NF06LT4
  仓库库存编号：497-6551-1-ND
  别名：497-6551-1
  
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 66W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM340N06CH X0G
  仓库库存编号：TSM340N06CH X0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD30NF04LT
  仓库库存编号：STD30NF04LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP60NF06FP
  仓库库存编号：497-3197-5-ND
  别名：497-3197-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc）
  
  型号：STW38N65M5-4
  仓库库存编号：STW38N65M5-4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 134W（Tc） TO-247N
  
  型号：SCT3080ALGC11
  仓库库存编号：SCT3080ALGC11-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 15.6W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT4011LFG-13
  仓库库存编号：DMT4011LFG-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 15.6W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT4011LFG-7
  仓库库存编号：DMT4011LFG-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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