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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR32N50Q
  仓库库存编号：IXFR32N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N50Q
  仓库库存编号：IXFK30N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
  
  型号：APT29F100L
  仓库库存编号：APT29F100L-ND
  别名：APT29F100LMI
  APT29F100LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 30A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N110P
  仓库库存编号：IXFX30N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 30A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N110P
  仓库库存编号：IXFK30N110P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N100Q2
  仓库库存编号：IXFK30N100Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N100Q2
  仓库库存编号：IXFX30N100Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL34N100
  仓库库存编号：IXFL34N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB30N120P
  仓库库存编号：IXFB30N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE34N100
  仓库库存编号：IXFE34N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1000V 30A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 694W（Tc） 24-SMPD
  
  型号：MMIX1F44N100Q3
  仓库库存编号：MMIX1F44N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFB30N120Q2
  仓库库存编号：IXFB30N120Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN30N120P
  仓库库存编号：IXFN30N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 800W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXTB30N100L
  仓库库存编号：IXTB30N100L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 690AW（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT12031JFLL
  仓库库存编号：APT12031JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N03S2L10ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N03S2L-10
  IPD30N03S2L-10-ND
  SP000254465
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S223ATMA2
  仓库库存编号：IPD30N06S223ATMA2-ND
  别名：SP001061722
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 120W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU3915PBF
  仓库库存编号：IRLU3915PBF-ND
  别名：*IRLU3915PBF
  SP001578942
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N08S222ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N08S222ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N08S2-22
  IPD30N08S2-22-ND
  SP000252169
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N06S2-15
  仓库库存编号：IPD30N06S2-15CT-ND
  别名：IPD30N06S2-15CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW26NM60
  仓库库存编号：497-3265-5-ND
  别名：497-3265-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 312W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW30NM60D
  仓库库存编号：497-4426-5-ND
  别名：497-4426-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD30NE06L
  仓库库存编号：STD30NE06L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD30NE06LT4
  仓库库存编号：STD30NE06LT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30N20
  仓库库存编号：497-5129-5-ND
  别名：497-5129-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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