以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR180N15P
  仓库库存编号：IXFR180N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX100N25
  仓库库存编号：IXFX100N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK100N25
  仓库库存编号：IXFK100N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 100A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT20M22LVRG
  仓库库存编号：APT20M22LVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 100A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT20M22LVFRG
  仓库库存编号：APT20M22LVFRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK100N10
  仓库库存编号：IXFK100N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N20
  仓库库存编号：IXFN100N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N25
  仓库库存编号：IXFN100N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 100A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB100N50Q3
  仓库库存编号：IXFB100N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN110N20L2
  仓库库存编号：IXTN110N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1.7KV 100A
  详细描述：通孔 1700V 100A（Tc） 583W（Tc） TO-247
  
  型号：GA50JT17-247
  仓库库存编号：1242-1247-ND
  别名：1242-1247
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 600V 100A
  详细描述：通孔 600V 100A（Tc） 769W（Tc） TO-258
  
  型号：GA50JT06-258
  仓库库存编号：1242-1253-ND
  别名：1242-1253
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 75W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S52R8ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S52R8ATMA1-ND
  别名：SP001418102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 75W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC100N04S5L2R6ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S5L2R6ATMA1-ND
  别名：SP001418106
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3711PBFTR-ND
  别名：IRFR3711PBFTR
  IRFR3711TRPBF-ND
  IRFR3711TRPBFTR-ND
  SP001557028
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR3711TRLPBF-ND
  别名：SP001578136
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8401TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFR8401TRL-ND
  别名：IFAUIRFR8401TRL
  SP001520504
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 79W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRFU8401
  仓库库存编号：IRAUIRFU8401-ND
  别名：IRAUIRFU8401
  SP001518756
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-23
  
  型号：IPC100N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S402ATMA1-ND
  别名：SP001007758
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD100N06S403ATMA2
  仓库库存编号：IPD100N06S403ATMA2-ND
  别名：SP001028766
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 99W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8403TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFR8403TRL-ND
  别名：IFAUIRFR8403TRL
  SP001518596
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 99W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRFU8403
  仓库库存编号：IRAUIRFU8403-ND
  别名：IRAUIRFU8403
  SP001518276
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC027N06LS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC027N06LS5ATMA1-ND
  别名：SP001385616
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S4H2AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N04S4H2AKSA1-ND
  别名：IPP100N04S4-H2
  IPP100N04S4-H2-ND
  SP000711278
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 163W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8405TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFR8405TRL-ND
  别名：IFAUIRFR8405TRL
  SP001522904
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
• 搜索