产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(463)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(2)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(461)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
Microchip Technology (4)
Diodes Incorporated (20)
GeneSiC Semiconductor (3)
Infineon Technologies (174)
IXYS (23)
Microsemi Corporation (6)
Nexperia USA Inc. (133)
NXP USA Inc. (24)
Fairchild/ON Semiconductor (11)
ON Semiconductor (1)
Renesas Electronics America (6)
STMicroelectronics (14)
Taiwan Semiconductor Corporation (4)
Texas Instruments (8)
Toshiba Semiconductor and Storage (5)
Vishay Siliconix (26)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 163W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRFU8405
仓库库存编号：
IRAUIRFU8405-ND
别名：IRAUIRFU8405
SP001516840
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N08S207AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N08S207AKSA1-ND
别名：IPP100N08S2-07
IPP100N08S2-07-ND
SP000219005
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N04S4H2AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N04S4H2AKSA1-ND
别名：IPI100N04S4-H2
IPI100N04S4-H2-ND
SP000711282
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S2L05AKSA2
仓库库存编号：
IPP100N06S2L05AKSA2-ND
别名：SP001067950
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N08S2L07AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N08S2L07AKSA1-ND
别名：IPP100N08S2L-07
IPP100N08S2L-07-ND
SP000219052
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S2L03ATMA2
仓库库存编号：
IPB100N04S2L03ATMA2-ND
别名：SP001063640
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N08S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N08S207ATMA1TR-ND
别名：IPB100N08S2-07
IPB100N08S2-07-ND
SP000219044
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N08S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPB100N08S2L-07
IPB100N08S2L-07-ND
SP000219053
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S2L05ATMA2
仓库库存编号：
IPB100N06S2L05ATMA2-ND
别名：SP001067944
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB042N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB042N10N3 G E8187
IPB042N10N3 G E8187-ND
IPB042N10N3 G E8187TR-ND
SP000939332
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB031NE7N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB031NE7N3GATMA1CT-ND
别名：IPB031NE7N3 GCT
IPB031NE7N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S303AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S303AKSA1-ND
别名：IPP100N04S3-03
IPP100N04S3-03-ND
IPP100N04S303
SP000261227
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N08S207AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N08S207AKSA1-ND
别名：IPI100N08S2-07
IPI100N08S2-07-ND
SP000219041
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N10S3-05
仓库库存编号：
IPB100N10S305ATMA1CT-ND
别名：IPB100N10S3-05CT
IPB100N10S3-05CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 120V 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI076N12N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI076N12N3GAKSA1-ND
别名：IPI076N12N3 G
IPI076N12N3 G-ND
IPI076N12N3G
SP000652738
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI037N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI037N08N3GXKSA1-ND
别名：SP000680654
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N10S305AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N10S305AKSA1-ND
别名：IPI100N10S3-05
IPI100N10S3-05-ND
SP000407128
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 10V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP039N10N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP039N10N5AKSA1-ND
别名：SP001602186
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP05CN10NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP05CN10NGXKSA1-ND
别名：IPP05CN10N G
IPP05CN10N G-ND
IPP05CN10NG
IPP05CN10NGIN
IPP05CN10NGIN-ND
IPP05CN10NGX
IPP05CN10NGXK
SP000680814
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI030N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI030N10N3GXKSA1-ND
别名：SP000680648
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET IFX OPTIMOS TO247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 100A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
型号：
IRF200P223
仓库库存编号：
IRF200P223-ND
别名：SP001582440
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
型号：
STL100NH3LL
仓库库存编号：
497-5813-1-ND
别名：497-5813-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 25A PWRSOIC-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3W（Ta），70W（Tc） 8-SOIC-EP
型号：
STSJ100NH3LL
仓库库存编号：
497-5785-1-ND
别名：497-5785-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3W（Ta），70W（Tc） 8-SOIC-EP
型号：
STSJ100NHS3LL
仓库库存编号：
STSJ100NHS3LL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 100A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL100N1VH5
仓库库存编号：
497-11219-1-ND
别名：497-11219-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
