产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH3330L,115
仓库库存编号:
PH3330L,115-ND
别名:934058817115
PH3330L T/R
PH3330L T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 204W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R7-30C,127
仓库库存编号:
568-7494-5-ND
别名:568-7494-5
934064251127
BUK652R7-30C,127-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 158W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK654R8-40C,127
仓库库存编号:
568-7501-5-ND
别名:568-7501-5
934064242127
BUK654R8-40C,127-ND
BUK654R840C127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 164W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R7-25YLC,115
仓库库存编号:
568-6723-1-ND
别名:568-6723-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R3-40C,127
仓库库存编号:
568-6621-5-ND
别名:568-6621
568-6621-5
568-6621-ND
934059866127
BUK752R3-40C,127-ND
BUK752R340C127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH2525L,115
仓库库存编号:
PH2525L,115-ND
别名:934060898115
PH2525L T/R
PH2525L T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E3R2-40B,127
仓库库存编号:
568-6639-5-ND
别名:568-6639
568-6639-5
568-6639-ND
934058038127
BUK9E3R2-40B
BUK9E3R2-40B,127-ND
BUK9E3R2-40B-ND
BUK9E3R240B127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 79W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R7-30YLC,115
仓库库存编号:
568-6735-1-ND
别名:568-6735-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 92W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R2-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5302-1-ND
别名:1727-5302-1
568-6733-1
568-6733-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 79W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R2-25YLC,115
仓库库存编号:
568-6732-1-ND
别名:568-6732-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R3-75C,127
仓库库存编号:
568-6627-5-ND
别名:568-6627
568-6627-5
568-6627-ND
934060122127
BUK754R3-75C,127-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH2520U,115
仓库库存编号:
1727-3050-1-ND
别名:1727-3050-1
568-2176-1
568-2176-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK953R2-40B,127
仓库库存编号:
568-6634-5-ND
别名:568-6634
568-6634-5
568-6634-ND
934057096127
BUK953R2-40B
BUK953R2-40B,127-ND
BUK953R2-40B-ND
BUK953R240B127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH2625L,115
仓库库存编号:
1727-3051-1-ND
别名:1727-3051-1
568-2177-1
568-2177-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH3230S,115
仓库库存编号:
1727-3122-1-ND
别名:1727-3122-1
568-2345-1
568-2345-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH3120L,115
仓库库存编号:
1727-3052-1-ND
别名:1727-3052-1
568-2178-1
568-2178-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203STRL
仓库库存编号:
IRL2203STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2203STRR
仓库库存编号:
IRL2203STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 175W(Tc) TO-220AB
型号:
HRF3205
仓库库存编号:
HRF3205-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) TO-264
型号:
MTY100N10E
仓库库存编号:
MTY100N10EOS-ND
别名:MTY100N10EOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 214W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA85N06
仓库库存编号:
FQA85N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY100NS20FD
仓库库存编号:
497-5321-5-ND
别名:497-5321-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 625W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10M09B2VFRG
仓库库存编号:
APT10M09B2VFRG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 520W(Tc) T-MAX?
型号:
APT10M11B2VFRG
仓库库存编号:
APT10M11B2VFRG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT20M22B2VFRG
仓库库存编号:
APT20M22B2VFRG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
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