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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-263
  
  型号：NP100N04PUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP100N04PUK-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 1.8W（Ta），176W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：NP100N055PUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP100N055PUK-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM052N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM052N06PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM052N06PQ56 RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM052N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM052N06PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM052N06PQ56 RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM052N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM052N06PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM052N06PQ56 RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1104L
  仓库库存编号：IRF1104L-ND
  别名：*IRF1104L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1104S
  仓库库存编号：IRF1104S-ND
  别名：*IRF1104S
  SP001563014
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1104STRL
  仓库库存编号：IRF1104STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 2.4W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1104STRR
  仓库库存编号：IRF1104STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3711
  仓库库存编号：IRFU3711-ND
  别名：*IRFU3711
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711
  仓库库存编号：IRFR3711-ND
  别名：*IRFR3711
  SP001555100
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1407L
  仓库库存编号：IRF1407L-ND
  别名：*IRF1407L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1407S
  仓库库存编号：IRF1407S-ND
  别名：*IRF1407S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1407STRR
  仓库库存编号：IRF1407STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711TR
  仓库库存编号：IRFR3711TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711TRL
  仓库库存编号：IRFR3711TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711TRR
  仓库库存编号：IRFR3711TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI100N03S2L-03
  仓库库存编号：SPI100N03S2L-03-ND
  别名：Q1620887
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S2L-03
  仓库库存编号：SPP100N03S2L-03IN-ND
  别名：SPP100N03S2L-03IN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N03S2-03
  仓库库存编号：SPP100N03S2-03IN-ND
  别名：SPP100N03S2-03IN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2-03
  仓库库存编号：SPB100N03S203INTR-ND
  别名：SPB100N03S203INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N03S2L-03
  仓库库存编号：SPB100N03S2L-INTR-ND
  别名：SPB100N03S2L-INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD100N03S2L-04
  仓库库存编号：SPD100N03S2L-INTR-ND
  别名：SPD100N03S2L-INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3711PBF
  仓库库存编号：IRFU3711PBF-ND
  别名：*IRFU3711PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711PBF
  仓库库存编号：IRFR3711PBF-ND
  别名：SP001552178
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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