产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(463)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(2)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(461)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
Microchip Technology (4)
Diodes Incorporated (20)
GeneSiC Semiconductor (3)
Infineon Technologies (174)
IXYS (23)
Microsemi Corporation (6)
Nexperia USA Inc. (133)
NXP USA Inc. (24)
Fairchild/ON Semiconductor (11)
ON Semiconductor (1)
Renesas Electronics America (6)
STMicroelectronics (14)
Taiwan Semiconductor Corporation (4)
Texas Instruments (8)
Toshiba Semiconductor and Storage (5)
Vishay Siliconix (26)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711TRRPBF
仓库库存编号：
IRFR3711TRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S3L-03
仓库库存编号：
IPB100N06S3L-03INCT-ND
别名：IPB100N06S3L-03INCT
IPB100N06S3L-03XTINCT
IPB100N06S3L-03XTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L03T
仓库库存编号：
SPB100N03S2L03T-ND
别名：SP000013460
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
型号：
SPD100N03S2L04T
仓库库存编号：
SPD100N03S2L04T-ND
别名：SP000013966
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI100N03S2L03
仓库库存编号：
SPI100N03S2L03-ND
别名：SP000013491
SPI100N03S2L03X
SPI100N03S2L03X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N03S203
仓库库存编号：
SPP100N03S203-ND
别名：SP000013463
SPP100N03S203X
SPP100N03S203X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N03S2L03
仓库库存编号：
SPP100N03S2L03-ND
别名：SP000013462
SPP100N03S2L03X
SPP100N03S2L03X-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A SOT429
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
型号：
PSMN004-55W,127
仓库库存编号：
PSMN004-55W,127-ND
别名：934055815127
PSMN004-55W
PSMN004-55W-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A SOT429
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
型号：
PSMN009-100W,127
仓库库存编号：
PSMN009-100W,127-ND
别名：934055801127
PSMN009-100W
PSMN009-100W-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S3-03
仓库库存编号：
IPB100N06S3-03-ND
别名：IPB100N06S303XT
SP000087982
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N06S3-03
仓库库存编号：
IPI100N06S3-03-ND
别名：IPI100N06S303X
IPI100N06S303XK
SP000087992
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N06S3-04
仓库库存编号：
IPI100N06S3-04IN-ND
别名：IPI100N06S3-04-ND
IPI100N06S3-04IN
IPI100N06S304X
IPI100N06S304XK
SP000102210
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N06S3L-03
仓库库存编号：
IPI100N06S3L-03IN-ND
别名：IPI100N06S3L-03-ND
IPI100N06S3L-03IN
IPI100N06S3L03X
IPI100N06S3L03XK
SP000087979
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP048N06L G
仓库库存编号：
IPP048N06LGIN-ND
别名：IPP048N06L G-ND
IPP048N06LGIN
IPP048N06LGX
IPP048N06LGXK
SP000204180
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP050N06N G
仓库库存编号：
IPP050N06NGIN-ND
别名：IPP050N06N G-ND
IPP050N06NGIN
IPP050N06NGX
IPP050N06NGXK
SP000204169
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP054NE8NGHKSA2
仓库库存编号：
IPP054NE8NGHKSA2-ND
别名：IPP054NE8N G
IPP054NE8N G-ND
IPP054NE8NGX
IPP054NE8NGXK
SP000096462
SP000680804
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP06CN10N G
仓库库存编号：
IPP06CN10N G-ND
别名：IPP06CN10NGX
IPP06CN10NGXK
SP000096463
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP06CNE8N G
仓库库存编号：
IPP06CNE8N G-ND
别名：IPP06CNE8NGX
IPP06CNE8NGXK
SP000096464
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S3-03
仓库库存编号：
IPP100N06S3-03-ND
别名：IPP100N06S303X
IPP100N06S303XK
SP000087980
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S3-04
仓库库存编号：
IPP100N06S3-04IN-ND
别名：IPP100N06S3-04-ND
IPP100N06S3-04IN
IPP100N06S304X
IPP100N06S304XK
SP000102212
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S3L-03
仓库库存编号：
IPP100N06S3L-03IN-ND
别名：IPP100N06S3L-03-ND
IPP100N06S3L-03IN
IPP100N06S3L03X
IPP100N06S3L03XK
SP000087977
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S3L-04
仓库库存编号：
IPP100N06S3L-04IN-ND
别名：IPP100N06S3L-04-ND
IPP100N06S3L-04IN
IPP100N06S3L04X
IPP100N06S3L04XK
SP000102209
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号：
SPB100N03S2-03 G-ND
别名：SP000200140
SPB100N03S203GXT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号：
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名：SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N04S2-04
仓库库存编号：
SPB100N04S2-04-ND
别名：SP000013711
SPB100N04S204T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
搜索
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
