产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号：
SPB100N04S2L-03-ND
别名：SP000013712
SPB100N04S2L03T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N06S2-05
仓库库存编号：
SPB100N06S2-05-ND
别名：SP000013713
SPB100N06S205T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号：
SPB100N06S2L-05-ND
别名：SP000013714
SPB100N06S2L05T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N08S2-07
仓库库存编号：
SPB100N08S2-07-ND
别名：SP000013715
SPB100N08S207T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N08S2L-07
仓库库存编号：
SPB100N08S2L-07-ND
别名：SP000013716
SPB100N08S2L07T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI100N03S2-03
仓库库存编号：
SPI100N03S2-03-ND
别名：SP000013492
SPI100N03S203X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N04S2-04
仓库库存编号：
SPP100N04S2-04-ND
别名：SP000013718
SPP100N04S204
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N04S2L-03
仓库库存编号：
SPP100N04S2L-03-ND
别名：SP000013719
SPP100N04S2L03
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N06S2-05
仓库库存编号：
SPP100N06S2-05-ND
别名：SP000013720
SPP100N06S205
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N06S2L-05
仓库库存编号：
SPP100N06S2L-05-ND
别名：SP000013721
SPP100N06S2L05
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N08S2-07
仓库库存编号：
SPP100N08S2-07-ND
别名：SP000013722
SPP100N08S207
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N08S2L-07
仓库库存编号：
SPP100N08S2L-07-ND
别名：SP000013723
SPP100N08S2L07
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB048N06LGATMA1
仓库库存编号：
IPB048N06LGATMA1CT-ND
别名：IPB048N06LG
IPB048N06LGINCT
IPB048N06LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB050N06NGATMA1
仓库库存编号：
IPB050N06NGATMA1CT-ND
别名：IPB050N06NG
IPB050N06NGINCT
IPB050N06NGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S3-04
仓库库存编号：
IPB100N06S3-04INCT-ND
别名：IPB100N06S3-04INCT
IPB100N06S304
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S3L-04
仓库库存编号：
IPB100N06S3L-04INCT-ND
别名：IPB100N06S3L-04INCT
IPB100N06S3L04
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP04CN10NG
仓库库存编号：
IPP04CN10NGIN-ND
别名：IPP04CN10N G
IPP04CN10NGIN
IPP04CN10NGXK
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB05CN10N G
仓库库存编号：
IPB05CN10N G-ND
别名：SP000096440
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB06CN10N G
仓库库存编号：
IPB06CN10N G-ND
别名：SP000096446
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2-04
IPB100N04S2-04-ND
SP000219061
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB100N06S2-05
IPB100N06S2-05-ND
SP000218874
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI028N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI028N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI028N08N3 G
IPI028N08N3 G-ND
SP000395160
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI030N10N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI030N10N3GHKSA1-ND
别名：IPI030N10N3 G
IPI030N10N3 G-ND
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