产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4840BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4840BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4840BDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 300V 19A TO262
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 210W(Tc) TO-262-3
型号:
AUIRFSL6535
仓库库存编号:
AUIRFSL6535-ND
别名:SP001522854
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 174W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH21N60EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH21N60EF-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 64W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y65-100E,115
仓库库存编号:
1727-1125-1-ND
别名:1727-1125-1
568-10280-1
568-10280-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4840BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4840BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4840BDY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP20N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHP20N50E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 179W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG20N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHG20N50E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 64W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y65-100EX
仓库库存编号:
1727-1115-1-ND
别名:1727-1115-1
568-10270-1
568-10270-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 50W(Tc) D2PAK
型号:
STB25NF06AG
仓库库存编号:
STB25NF06AG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 35W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF165N65S3L1
仓库库存编号:
FCPF165N65S3L1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF24NM65N
仓库库存编号:
497-11394-5-ND
别名:497-11394-5
STF24NM65N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB24NM65N
仓库库存编号:
497-7002-1-ND
别名:497-7002-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 2.16W PowerDI3333-8
型号:
DMP1011LFV-13
仓库库存编号:
DMP1011LFV-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 2.16W PowerDI3333-8
型号:
DMP1011LFV-7
仓库库存编号:
DMP1011LFV-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 71W(Tc) DPAK
型号:
NVD6416ANLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD6416ANLT4G-VF01-ND
别名:NVD6416ANLT4G
NVD6416ANLT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 71W(Tc) DPAK-3
型号:
NVD6416ANLT4G-001
仓库库存编号:
NVD6416ANLT4G-001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 6W(Tc) 8-SOIC
型号:
SQ4050EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4050EY-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19N20-90-T4-E3
仓库库存编号:
SUD19N20-90-T4-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT18F60B
仓库库存编号:
APT18F60B-ND
别名:APT18F60BMI
APT18F60BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC19N60C5
仓库库存编号:
IXKC19N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Tc) 156W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR36N50P
仓库库存编号:
IXFR36N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 19A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS6535
仓库库存编号:
AUIRFS6535-ND
别名:SP001516136
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 300V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 19A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS6535TRL
仓库库存编号:
AUIRFS6535TRLTR-ND
别名:AUIRFS6535TRLTR
SP001521690
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 19A(Tc) 92W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R120C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R120C7ATMA1-ND
别名:SP001385048
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19A(Tc) 92W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R120C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R120C7XKSA1-ND
别名:SP001385054
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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