产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 19A(Tc) 3.75W(Ta),75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB19N10TM
仓库库存编号:
FQB19N10TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 19A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N10
仓库库存编号:
FQP19N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 19A(Tc) 3.75W(Ta),75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB19N10LTM
仓库库存编号:
FQB19N10LTM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20CTSTU
仓库库存编号:
FQP19N20CTSTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA75309P3
仓库库存编号:
HUFA75309P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 3.13W(Ta),139W(Tc) I2PAK
型号:
FQI19N20CTU
仓库库存编号:
FQI19N20CTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Tc) 156W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC36N50P
仓库库存编号:
IXFC36N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20C_F080
仓库库存编号:
FQP19N20C_F080-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 19A(Tc) 71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6416ANL-1G
仓库库存编号:
NTD6416ANL-1GOS-ND
别名:NTD6416ANL-1G-ND
NTD6416ANL-1GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF19N20CYDTU
仓库库存编号:
FQPF19N20CYDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 19A(Tc) 335W(Tc) D3Pak
型号:
APT18F60S
仓库库存编号:
APT18F60S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 19A(Tc) 520W(Tc) SOT-227
型号:
APT12057JLL
仓库库存编号:
APT12057JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 19A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT18M80S
仓库库存编号:
APT18M80S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z34NL
仓库库存编号:
IRF9Z34NL-ND
别名:*IRF9Z34NL
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34NSTRR
仓库库存编号:
IRF9Z34NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2605
仓库库存编号:
IRFR2605-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Tc) 250W(Tc) TO-254AA
型号:
IRFM460
仓库库存编号:
IRFM460-ND
别名:Q1134250
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 39W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIB4343
仓库库存编号:
IRLIB4343-ND
别名:*IRLIB4343
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z34NLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NLPBF-ND
别名:*IRF9Z34NLPBF
SP001570616
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 56W(Tc) DPAK
型号:
PHD21N06LT,118
仓库库存编号:
PHD21N06LT,118-ND
别名:934055349118
PHD21N06LT /T3
PHD21N06LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 19A(Tc) 62.5W(Tc) 8-HVSON(6x5)
型号:
PHM18NQ15T,518
仓库库存编号:
PHM18NQ15T,518-ND
别名:934057306518
PHM18NQ15T /T3
PHM18NQ15T /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 56W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP21N06LT,127
仓库库存编号:
PHP21N06LT,127-ND
别名:934054560127
PHP21N06LT
PHP21N06LT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD15N06S2L-64
仓库库存编号:
SPD15N06S2L-64-ND
别名:SP000013573
SPD15N06S2L64T
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD15N06S2L64ATMA1
仓库库存编号:
IPD15N06S2L64ATMA1TR-ND
别名:IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64-ND
SP000252162
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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