产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(11)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(11)
筛选品牌
Diodes Incorporated (6)
Infineon Technologies (1)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
ON Semiconductor (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMP4A16KTC
仓库库存编号:
ZXMP4A16KTCCT-ND
别名:ZXMP4A16KTCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA291P
仓库库存编号:
FDMA291PCT-ND
别名:FDMA291PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 840mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4177PR2G
仓库库存编号:
NTMS4177PR2GCT-ND
别名:NTMS4177PR2GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMP6023LSS-13
仓库库存编号:
DMP6023LSS-13DICT-ND
别名:DMP6023LSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 613mW(Ta) X1-DFN1616-6(E 类)
型号:
DMP1245UFCL-7
仓库库存编号:
DMP1245UFCL-7DICT-ND
别名:DMP1245UFCL-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN3026LVT-7
仓库库存编号:
DMN3026LVT-7DICT-ND
别名:DMN3026LVT-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN3026LVTQ-7
仓库库存编号:
DMN3026LVTQ-7DICT-ND
别名:DMN3026LVTQ-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 740mW(Ta) U-DFN1616-6
型号:
DMP2035UFCL-7
仓库库存编号:
DMP2035UFCL-7DICT-ND
别名:DMP2035UFCL-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.6A(Ta) 2.2W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT86102LZ
仓库库存编号:
FDT86102LZFSCT-ND
别名:FDT86102LZFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.6A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB20UN,115
仓库库存编号:
568-10816-1-ND
别名:568-10816-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Ta) D-Pak
型号:
IRFR9120NCPBF
仓库库存编号:
IRFR9120NCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.6A(Ta),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号