产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(87)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(87)
筛选品牌
Infineon Technologies (20)
IXYS (6)
Microsemi Corporation (5)
Nexperia USA Inc. (9)
NXP USA Inc. (5)
Fairchild/ON Semiconductor (22)
Rohm Semiconductor (1)
Sanken (4)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (14)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE50N50
仓库库存编号:
IXFE50N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE55N50
仓库库存编号:
IXFE55N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 47A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC094N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC094N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001458086
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB47N10SL-26
仓库库存编号:
IPB47N10SL26ATMA1CT-ND
别名:IPB47N10SL-26CT
IPB47N10SL-26CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI47N10S33AKSA1
仓库库存编号:
IPI47N10S33AKSA1-ND
别名:IPI47N10S-33
IPI47N10S-33-ND
SP000225703
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI47N10SL26AKSA1
仓库库存编号:
IPI47N10SL26AKSA1-ND
别名:IPI47N10SL-26
IPI47N10SL-26-ND
SP000225704
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 415W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW47N65C3FKSA1
仓库库存编号:
SPW47N65C3FKSA1-ND
别名:SP000274751
SPW47N65C3
SPW47N65C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 166W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7528-100A,127
仓库库存编号:
568-9801-5-ND
别名:568-9801-5
934055881127
BUK7528-100A
BUK7528-100A,127-ND
BUK7528-100A-ND
BUK7528100A127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 47A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS43N50K
仓库库存编号:
IRFPS43N50K-ND
别名:*IRFPS43N50K
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60
仓库库存编号:
FCH47N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76429P3
仓库库存编号:
HUF76429P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76429P3
仓库库存编号:
HUFA76429P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76429S3S
仓库库存编号:
HUFA76429S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76429S3S
仓库库存编号:
HUF76429S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76429S3ST
仓库库存编号:
HUFA76429S3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 47A(Tc) 3.75W(Ta),160W(Tc) I2PAK
型号:
FQI47P06TU
仓库库存编号:
FQI47P06TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247
型号:
FCH47N60F
仓库库存编号:
FCH47N60F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 3.75W(Ta),136W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM47N10-24L-E3
仓库库存编号:
SUM47N10-24L-E3CT-ND
别名:SUM47N10-24L-E3CT
SUM47N1024LE3
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 47A(Tc) 160W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP47P06_NW82049
仓库库存编号:
FQP47P06_NW82049-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 47A(Tc) 160W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP47P06_SW82049
仓库库存编号:
FQP47P06_SW82049-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW47N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHW47N65E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44NSTRR
仓库库存编号:
IRLZ44NSTRR-ND
别名:SP001574180
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44NL
仓库库存编号:
IRLZ44NL-ND
别名:*IRLZ44NL
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44NLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44NLPBF-ND
别名:*IRLZ44NLPBF
SP001577060
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 47A(Tc) 106W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7524-55A,127
仓库库存编号:
BUK7524-55A,127-ND
别名:934056280127
BUK7524-55A
BUK7524-55A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号