产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(47)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(47)
筛选品牌
Diodes Incorporated (2)
Infineon Technologies (1)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (16)
Renesas Electronics America (14)
Rohm Semiconductor (3)
Sanken (3)
Toshiba Semiconductor and Storage (5)
Vishay Siliconix (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 5.4W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7336ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7336ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7336ADP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 5.4W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7336ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7336ADP-T1-E3CT-ND
别名：SI7336ADP-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 15W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2168H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2168H-EL-ECT-ND
别名：HAT2168H-EL-ECT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
型号：
ATP106-TL-H
仓库库存编号：
869-1075-1-ND
别名：869-1075-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 3W（Ta），35W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1G300GNTB
仓库库存编号：
RS1G300GNTBCT-ND
别名：RS1G300GNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220F-3SG
型号：
2SK3703-1E
仓库库存编号：
2SK3703-1EOS-ND
别名：2SK3703-1E-ND
2SK3703-1EOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 3W（Ta），33W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1E300GNTB
仓库库存编号：
RS1E300GNTBCT-ND
别名：RS1E300GNTBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMT32M5LFG-13
仓库库存编号：
DMT32M5LFG-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMT32M5LFG-7
仓库库存编号：
DMT32M5LFG-7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK03M5DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK03M5DPA-00#J5A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 58W（Tc） DPAK+
型号：
TK30S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TK30S06K3L(T6L1NQ-ND
别名：TK30S06K3L(T6L1NQ
TK30S06K3LT6L1NQ
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） LFPAK
型号：
RJK0305DPB-02#J0
仓库库存编号：
RJK0305DPB-02#J0TR-ND
别名：RJK0305DPB-02#J0-ND
RJK0305DPB-02#J0TR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
型号：
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TJ30S06M3L(T6L1NQ-ND
别名：TJ30S06M3L(T6L1NQ
TJ30S06M3LT6L1NQ
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 30A（Ta） 50W（Tc） LPTS
型号：
RSJ300N10TL
仓库库存编号：
RSJ300N10TL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 23W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2266H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2266H-EL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0855DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0855DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0855DPB-00#J5-ND
RJK0855DPB-00#J5TR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2279H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2279H-EL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 60V TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 40W（Tc） TO-220F
型号：
2SK2420
仓库库存编号：
2SK2420-ND
别名：2SK2420 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 300V 30A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 85W（Tc） TO-3PF
型号：
FKP300A
仓库库存编号：
FKP300A-ND
别名：FKP300A DK
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 330V 30A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 85W（Tc） TO-3P
型号：
FKP330C
仓库库存编号：
FKP330C-ND
别名：FKP330C DK
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 96W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP30N06LE
仓库库存编号：
RFP30N06LE-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 30A（Ta） 75W（Tj） DPAK-3
型号：
NTD30N02T4
仓库库存编号：
NTD30N02T4OS-ND
别名：NTD30N02T4OS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） D2PAK
型号：
NTB30N06LT4
仓库库存编号：
NTB30N06LT4OS-ND
别名：NTB30N06LT4OS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 88.2W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP30N06L
仓库库存编号：
NTP30N06LOS-ND
别名：NTP30N06LOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
含铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） 15W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2116H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2116H-EL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Ta）,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
