产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-SON（5x6）
型号：
CSD18563Q5A
仓库库存编号：
296-36511-1-ND
别名：296-36511-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17573Q5B
仓库库存编号：
296-39836-1-ND
别名：296-39836-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.3W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19531Q5AT
仓库库存编号：
296-37749-1-ND
别名：296-37749-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
库存产品核实请求
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） ATPAK
型号：
ATP304-TL-H
仓库库存编号：
ATP304-TL-HOSCT-ND
别名：ATP304-TL-HOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18509Q5BT
仓库库存编号：
296-37962-1-ND
别名：296-37962-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16570Q5BT
仓库库存编号：
296-38335-1-ND
别名：296-38335-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
BBS3002-DL-1E
仓库库存编号：
BBS3002-DL-1EOSCT-ND
别名：BBS3002-DL-1EOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 797W（Tc） TO-3P（L）
型号：
TK100L60W,VQ
仓库库存编号：
TK100L60WVQ-ND
别名：TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 217W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19501KCS
仓库库存编号：
296-37286-5-ND
别名：296-37286-5
CSD19501KCS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220
型号：
TK100E10N1,S1X
仓库库存编号：
TK100E10N1S1X-ND
别名：TK100E10N1,S1X(S
TK100E10N1S1X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19506KCS
仓库库存编号：
296-37169-5-ND
别名：296-37169-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220
型号：
TK100E08N1,S1X
仓库库存编号：
TK100E08N1S1X-ND
别名：TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19533KCS
仓库库存编号：
296-37482-5-ND
别名：296-37482-5
CSD19533KCS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
库存产品核实请求
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17576Q5B
仓库库存编号：
296-43635-1-ND
别名：296-43635-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18563Q5AT
仓库库存编号：
296-37748-1-ND
别名：296-37748-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19532Q5B
仓库库存编号：
296-37478-1-ND
别名：296-37478-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
RSJ10HN06TL
仓库库存编号：
RSJ10HN06TLCT-ND
别名：RSJ10HN06TLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SMP3003-DL-1E
仓库库存编号：
SMP3003-DL-1EOSCT-ND
别名：SMP3003-DL-1EOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SMP3003-TL-1E
仓库库存编号：
SMP3003-TL-1EOSCT-ND
别名：SMP3003-TL-1EOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
BBS3002-TL-1E
仓库库存编号：
BBS3002-TL-1EOSCT-ND
别名：BBS3002-TL-1EOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 214W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19531KCS
仓库库存编号：
296-37480-5-ND
别名：296-37480-5
CSD19531KCS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19503KCS
仓库库存编号：
296-37481-5-ND
别名：296-37481-5
CSD19503KCS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220
型号：
TK100E06N1,S1X
仓库库存编号：
TK100E06N1S1X-ND
别名：TK100E06N1,S1X(S
TK100E06N1S1X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），156W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD18531Q5AT
仓库库存编号：
296-41958-1-ND
别名：296-41958-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18532Q5B
仓库库存编号：
296-35628-1-ND
别名：296-35628-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
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