产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19502Q5B
仓库库存编号：
296-37194-1-ND
别名：296-37194-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18540Q5BT
仓库库存编号：
296-37963-1-ND
别名：296-37963-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19533Q5A
仓库库存编号：
296-37479-1-ND
别名：296-37479-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
型号：
TK100S04N1L,LQ
仓库库存编号：
TK100S04N1LLQCT-ND
别名：TK100S04N1LLQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 118W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19534KCS
仓库库存编号：
296-38676-5-ND
别名：296-38676-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 53A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17570Q5B
仓库库存编号：
296-39993-1-ND
别名：296-39993-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Ta） 2.3W PowerDI5060-8
型号：
DMT4002LPS-13
仓库库存编号：
DMT4002LPS-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-262
型号：
N0434N-S23-AY
仓库库存编号：
N0434N-S23-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Ta） 1.5W（Ta），83W（Tc） 8-HVSON（5.4x5.15）
型号：
UPA2765T1A-E2-AY
仓库库存编号：
UPA2765T1A-E2-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Ta） 2.6W（Ta）, 138W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH6004LPSQ-13
仓库库存编号：
DMTH6004LPSQ-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-262
型号：
N0603N-S23-AY
仓库库存编号：
N0603N-S23-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Ta） 2.1W（Ta）, 110W（Tc） TO-220-3
型号：
NDPL100N10BG
仓库库存编号：
NDPL100N10BG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16570Q5B
仓库库存编号：
CSD16570Q5B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Ta） 110W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA100N10BT4H
仓库库存编号：
NDBA100N10BT4H-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） ATPAK
型号：
ATP401-TL-H
仓库库存编号：
ATP401-TL-H-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），119W（Tc） TO-220
型号：
N0412N-S19-AY
仓库库存编号：
N0412N-S19-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16401Q5T
仓库库存编号：
CSD16401Q5T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5T
仓库库存编号：
CSD16415Q5T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-220-3
型号：
N0602N-S19-AY
仓库库存编号：
N0602N-S19-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-262-3
型号：
2SK4066-1E
仓库库存编号：
2SK4066-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
型号：
2SK4066-DL-1E
仓库库存编号：
2SK4066-DL-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 100A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 1.65W（Ta），90W（Tc） TO-263-2
型号：
2SK4065-DL-1E
仓库库存编号：
2SK4065-DL-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 1.75W（Ta），90W（Tc） TO-220-3
型号：
2SK4094-1E
仓库库存编号：
2SK4094-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Ta） 1.75W（Ta），75W（Tc） TO-220-3
型号：
2SK4171
仓库库存编号：
869-1048-ND
别名：869-1048
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
型号：
ATP204-TL-H
仓库库存编号：
869-1080-1-ND
别名：869-1080-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）,
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