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• Diodes Incorporated
  MOSFET N CH 60V 20A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：DMN6040SK3-13
  仓库库存编号：DMN6040SK3-13DICT-ND
  别名：DMN6040SK3-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 36V 20A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 4.2W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4314
  仓库库存编号：785-1548-1-ND
  别名：785-1548-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK20C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK20C60WS1VQ-ND
  别名：TK20C60W,S1VQ(S
  TK20C60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7832TRPBF
  仓库库存编号：IRF7832PBFCT-ND
  别名：*IRF7832TRPBF
  IRF7832PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF3717
  仓库库存编号：IRF3717-ND
  别名：*IRF3717
  SP001561700
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 48A 6SON
  详细描述：P 沟道 20A（Ta） 2.9W（Ta） 6-WSON（2x2）
  
  型号：CSD25310Q2
  仓库库存编号：296-38915-1-ND
  别名：296-38915-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4402
  仓库库存编号：785-1549-1-ND
  别名：785-1549-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 5W（Ta） 8-DFN（2x2）
  
  型号：AON2411
  仓库库存编号：785-1664-1-ND
  别名：785-1664-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 700mW（Ta），19W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN6R303NC,LQ
  仓库库存编号：TPN6R303NCLQCT-ND
  别名：TPN6R303NCLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 27W（Tc） DPAK
  
  型号：TK20P04M1,RQ(S
  仓库库存编号：TK20P04M1RQ(S-ND
  别名：TK20P04M1RQ(S
  TK20P04M1RQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.36W（Ta），60W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTDV20N06LT4G-VF01
  仓库库存编号：NTDV20N06LT4G-VF01-ND
  别名：NTDV20N06LT4G
  NTDV20N06LT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.88W（Ta），60W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTDV20N06T4G-VF01
  仓库库存编号：NTDV20N06T4G-VF01-ND
  别名：NTDV20N06T4G
  NTDV20N06T4G-ND
  NVD5484NLT4G-VF01
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ20S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ20S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ20S04M3L(T6L1NQ
  TJ20S04M3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 38W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK20S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK20S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK20S04K3L(T6L1NQ
  TK20S04K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 38W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK20S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK20S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK20S06K3L(T6L1NQ
  TK20S06K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RJK0349DSP-00#J0
  仓库库存编号：RJK0349DSP-00#J0CT-ND
  别名：RJK0349DSP-00#J0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 45V 20A TCPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 20W（Ta） TCPT3
  
  型号：RSY200N05TL
  仓库库存编号：RSY200N05TLCT-ND
  别名：RSY200N05TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0851DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0851DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0851DPB-00#J5-ND
  RJK0851DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 20A（Ta） 20W（Tc） TCPT3
  
  型号：RZY200P01TL
  仓库库存编号：RZY200P01TLCT-ND
  别名：RZY200P01TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK1052DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK1052DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK1052DPB-00#J5-ND
  RJK1052DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 1.6W（Ta），32W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8064-H,LQ(CM
  仓库库存编号：TPCA8064-HLQ(CM-ND
  别名：TPCA8064-HLQ(CM
  TPCA8064HLQCM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK1054DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK1054DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK1054DPB-00#J5-ND
  RJK1054DPB-00#J5TR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK2076DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK2076DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 20A WPAK(3F)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Ta） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK2075DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK2075DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
  
  型号：TK20G60W,RVQ
  仓库库存编号：TK20G60WRVQCT-ND
  别名：TK20G60WRVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）,
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