产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 75W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H5N2522LSTL-E
仓库库存编号:
H5N2522LSTL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 250V 20A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 40W(Tc) TO-220
型号:
FKP253
仓库库存编号:
FKP253-ND
别名:FKP253 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.6W(Ta),30W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8052-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8052-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCA8052-H(TE12LQMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 250V 20A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 40W(Tc) TO-263-3
型号:
SKP253VR
仓库库存编号:
SKP253VR-ND
别名:SKP253VR DK
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 250V 20A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 40W(Tc) TO-263-3
型号:
SKP253
仓库库存编号:
SKP253-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6020ANJTL
仓库库存编号:
R6020ANJTL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 165W(Tc) TO-220
型号:
TK20E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK20E60WS1VX-ND
别名:TK20E60W,S1VX(S
TK20E60WS1VX
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta) 165W(Tc) TO-247
型号:
TK20N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK20N60WS1VF-ND
别名:TK20N60W,S1VF(S
TK20N60WS1VF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.36W(Ta),60W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD20N06LT4
仓库库存编号:
NTD20N06LT4OS-ND
别名:NTD20N06LT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.88W(Ta),60W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD20N06T4
仓库库存编号:
NTD20N06T4OS-ND
别名:NTD20N06T4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.75W(Ta),74W(Tc) I-Pak
型号:
NTD20N03L27-001
仓库库存编号:
NTD20N03L27-001OS-ND
别名:NTD20N03L27-001OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.88W(Ta),60W(Tj) I-Pak
型号:
NTD20N06-001
仓库库存编号:
NTD20N06-001OS-ND
别名:NTD20N06-001OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.36W(Ta),60W(Tj) I-Pak
型号:
NTD20N06L-001
仓库库存编号:
NTD20N06L-001OS-ND
别名:NTD20N06L-001OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8007-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8007HTE12LQCT-ND
别名:TPCA8007HTE12LQ
TPCA8007HTE12LQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7288N3
仓库库存编号:
FDS7288N3CT-ND
别名:FDS7288N3_NLCT
FDS7288N3_NLCT-ND
FDS7288N3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta) 20W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2174H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2174H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.75W(Ta),74W(Tc) DPAK
型号:
NTD20N03L27
仓库库存编号:
NTD20N03L27-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.75W(Ta),74W(Tc) I-Pak
型号:
NTD20N03L27-1G
仓库库存编号:
NTD20N03L27-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.88W(Ta),60W(Tj) I-Pak
型号:
NTD20N06-1G
仓库库存编号:
NTD20N06-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1.36W(Ta),60W(Tj) I-Pak
型号:
NTD20N06L-1G
仓库库存编号:
NTD20N06L-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8812NZ
仓库库存编号:
FDS8812NZCT-ND
别名:FDS8812NZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 20A(Ta) 100W(Tc) TO-220SM
型号:
2SK2993(TE24L,Q)
仓库库存编号:
2SK2993(TE24L,Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4714
仓库库存编号:
785-1052-1-ND
别名:785-1052-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
RSD200N10TL
仓库库存编号:
RSD200N10TLCT-ND
别名:RSD200N10TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 20A(Ta) 3.7W(Ta),31W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6782A
仓库库存编号:
FDD6782ACT-ND
别名:FDD6782ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
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