产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 20A SC-97
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 20A(Ta) 125W(Tc) TFP(9.2x10.7)
型号:
2SK3388(TE24L,Q)
仓库库存编号:
2SK3388(TE24L,Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Ta) 150W(Tc) TO-3P(N)
型号:
2SK3906(Q)
仓库库存编号:
2SK3906(Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220ML
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Ta) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220ML
型号:
2SK3707
仓库库存编号:
869-1038-ND
别名:869-1038
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4124
仓库库存编号:
869-1070-ND
别名:869-1070
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Ta) 2W(Ta),20W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
2SK4043LS
仓库库存编号:
2SK4043LS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 250V 20A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK20A25D,S5Q(M
仓库库存编号:
TK20A25DS5Q(M-ND
别名:TK20A25D(Q)
TK20A25D(Q)-ND
TK20A25DQ
TK20A25DS5Q(M
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V W-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 20A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2055DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2055DPA-00#J0CT-ND
别名:RJK2055DPA-00#J0CT
RJK2055DPA00J0
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A TP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Ta) 1W(Ta),23W(Tc) TP
型号:
SFT1446-H
仓库库存编号:
SFT1446-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4726
仓库库存编号:
785-1315-1-ND
别名:785-1315-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4588
仓库库存编号:
785-1554-1-ND
别名:785-1554-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 20A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2057DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2057DPA-00#J0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Ta) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220F-3SG
型号:
2SK3707-1E
仓库库存编号:
2SK3707-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3P-3L
型号:
2SK4124-1E
仓库库存编号:
2SK4124-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.75W(Ta),74W(Tc) DPAK
型号:
NVD20N03L27T4G
仓库库存编号:
NVD20N03L27T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Ta) 120W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1518-E
仓库库存编号:
2SK1518-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
RJK0349DSP-01#J0
仓库库存编号:
RJK0349DSP-01#J0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 20A(Ta) 39.5W(Tc) TO-252
型号:
SUD50N02-09P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N02-09P-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3717TR
仓库库存编号:
IRF3717TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832TR
仓库库存编号:
IRF7832CT-ND
别名:*IRF7832TR
IRF7832CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 20A(Ta) 2.8W(Ta),28W(Tc)
型号:
IRFHM4234TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM4234TRPBFCT-ND
别名:IRFHM4234TRPBFCT
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