产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.1A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P50TM
仓库库存编号:
FQD3P50TMCT-ND
别名:FQD3P50TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP2NK90Z
仓库库存编号:
497-4378-5-ND
别名:497-4378-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.1A(Tc) 600mW(Ta),900mW(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1403CDL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1403CDL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1403CDL-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI820GPBF
仓库库存编号:
IRFI820GPBF-ND
别名:*IRFI820GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD2NK90ZT4
仓库库存编号:
497-4332-1-ND
别名:497-4332-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBE30GPBF-ND
别名:*IRFIBE30GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD2NK90Z-1
仓库库存编号:
497-12784-5-ND
别名:497-12784-5
STD2NK90Z-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Tc) 37W(Tc) DPAK
型号:
NDD03N40ZT4G
仓库库存编号:
NDD03N40ZT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 37W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDD03N40Z-1G
仓库库存编号:
NDD03N40Z-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.1A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P50TM_F085
仓库库存编号:
FQD3P50TM_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.1A(Tc) 23W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI614GPBF
仓库库存编号:
IRFI614GPBF-ND
别名:*IRFI614GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI820G
仓库库存编号:
IRFI820G-ND
别名:*IRFI820G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.1A(Tc) 23W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI614G
仓库库存编号:
IRFI614G-ND
别名:*IRFI614G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE30G
仓库库存编号:
IRFIBE30G-ND
别名:*IRFIBE30G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 300V 2.1A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N30
仓库库存编号:
FQP2N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 300V 2.1A(Tc) 3.13W(Ta),40W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2N30TU
仓库库存编号:
FQI2N30TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.1A(Tc) 3.13W(Ta),55W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N50TM
仓库库存编号:
FQB2N50TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 2.1A(Tc) 3.13W(Ta),40W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N30TM
仓库库存编号:
FQB2N30TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.1A(Tc) 55W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N50
仓库库存编号:
FQP2N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 2.1A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P50TF
仓库库存编号:
FQD3P50TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 500V 2.1A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3P50TU
仓库库存编号:
FQU3P50TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.1A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N90
仓库库存编号:
FQPF3N90-ND
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MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.1A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N90_NL
仓库库存编号:
FQPF3N90_NL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.1A(Tc),
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