产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 27A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP27P06
仓库库存编号:
FQP27P06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
IRF6218STRLPBF
仓库库存编号:
IRF6218STRLPBFCT-ND
别名:IRF6218STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 357W(Tc) TO-220
型号:
AOT27S60L
仓库库存编号:
785-1252-5-ND
别名:785-1252-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP27N60KPBF
仓库库存编号:
IRFP27N60KPBF-ND
别名:*IRFP27N60KPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 27A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 104W(Tc) TO-220
型号:
TPH3212PS
仓库库存编号:
TPH3212PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4105PBFCT-ND
别名:*IRFR4105TRPBF
IRFR4105PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 27A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF6218PBF
仓库库存编号:
IRF6218PBF-ND
别名:*IRF6218PBF
SP001564812
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF27S60L
仓库库存编号:
785-1608-5-ND
别名:785-1608-5
AOTF27S60
AOTF27S60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB390N15A
仓库库存编号:
FDB390N15ACT-ND
别名:FDB390N15ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
AOK27S60L
仓库库存编号:
785-1534-5-ND
别名:AOK27S60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 27A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP29N08T,127
仓库库存编号:
1727-4645-ND
别名:1727-4645
568-5762
568-5762-5
568-5762-5-ND
568-5762-ND
934057126127
PHP29N08T
PHP29N08T,127-ND
PHP29N08T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB35N65M5
仓库库存编号:
497-10565-1-ND
别名:497-10565-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 160W(Tc) I2PAK
型号:
STI35N65M5
仓库库存编号:
497-11332-5-ND
别名:497-11332-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 27A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF35N65M5
仓库库存编号:
497-11397-5-ND
别名:497-11397-5
STF35N65M5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30NM50N
仓库库存编号:
497-8795-5-ND
别名:497-8795-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 27A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW35N65M5
仓库库存编号:
497-11000-5-ND
别名:497-11000-5
STW35N65M5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 27A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 1.6W(Ta) TO-252
型号:
DMP3028LK3-13
仓库库存编号:
DMP3028LK3-13DICT-ND
别名:DMP3028LK3-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ416EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ416EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ416EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 700mW(Ta),32W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN6R003NL,LQ
仓库库存编号:
TPN6R003NLLQCT-ND
别名:TPN6R003NLLQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 60W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL50NH3LL
仓库库存编号:
497-4114-1-ND
别名:497-4114-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB27P06TM
仓库库存编号:
FQB27P06TMCT-ND
别名:FQB27P06TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD33CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD33CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD33CN10NGATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 27A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP27N3LH5
仓库库存编号:
497-9095-5-ND
别名:497-9095-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 27A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN27N80
仓库库存编号:
IXFN27N80-ND
别名:468185
Q1653251
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 210W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA27N25
仓库库存编号:
FQA27N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Tc),
无铅
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