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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA38N30
  仓库库存编号：FDA38N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 38A
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP45N40DM2AG
  仓库库存编号：497-16136-5-ND
  别名：497-16136-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 38A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247
  
  型号：STW40N95K5
  仓库库存编号：497-15447-5-ND
  别名：497-15447-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF5210STRLPBF
  仓库库存编号：IRF5210STRLPBFCT-ND
  别名：IRF5210STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP264PBF
  仓库库存编号：IRFP264PBF-ND
  别名：*IRFP264PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 341W（Tc） TO-220
  
  型号：IRFB4137PBF
  仓库库存编号：IRFB4137PBF-ND
  别名：SP001554580
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R099C6XKSA1-ND
  别名：SP000895218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4137PBF
  仓库库存编号：IRFP4137PBF-ND
  别名：SP001571068
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 950 V, 0.110 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STWA40N95K5
  仓库库存编号：497-16335-5-ND
  别名：497-16335-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 38A（Tc） 88W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7230-55A,118
  仓库库存编号：1727-7156-1-ND
  别名：1727-7156-1
  568-9639-1
  568-9639-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 38A（Tc） 46W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM170N06CH C5G
  仓库库存编号：TSM170N06CH C5G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 100V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 136W（Tc） TO-252
  
  型号：SQD40P10-40L_GE3
  仓库库存编号：SQD40P10-40L_GE3CT-ND
  别名：SQD40P10-40L_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP80NF10FP
  仓库库存编号：497-5897-5-ND
  别名：497-5897-5
  STP80NF10FP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R099C6XKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R099C6XKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R099C6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R099C6FKSA1-ND
  别名：SP000896396
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS38N60LPBF
  仓库库存编号：IRFPS38N60LPBF-ND
  别名：*IRFPS38N60LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45NF06T4
  仓库库存编号：497-10314-1-ND
  别名：497-10314-1
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4628DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4628DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4628DY-T1-GE3CT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 313W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB38N30U
  仓库库存编号：FDB38N30UCT-ND
  别名：FDB38N30UCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 38A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK38N3LLH5
  仓库库存编号：497-8784-1-ND
  别名：497-8784-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 62W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M19-60EX
  仓库库存编号：1727-2574-1-ND
  别名：1727-2574-1
  568-13018-1
  568-13018-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R099C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R099C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R099C6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 38A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP45NF06
  仓库库存编号：497-3189-5-ND
  别名：497-3189-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 38A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN38N100P
  仓库库存编号：IXFN38N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc）,
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