产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
型号：
STV300NH02L
仓库库存编号：
497-7614-1-ND
别名：497-7614-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 550W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH200N10T
仓库库存编号：
IXTH200N10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 200A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN200N07
仓库库存编号：
IXFN200N07-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK200N10L2
仓库库存编号：
IXTK200N10L2-ND
别名：Q7017004
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 200A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA200N055T2
仓库库存编号：
IXTA200N055T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
型号：
STV200N55F3
仓库库存编号：
497-7028-1-ND
别名：497-7028-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ410EL-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ410EL-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ100E-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ100E-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ100E-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH320N4F6-2
仓库库存编号：
497-13875-1-ND
别名：497-13875-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
型号：
STH320N4F6-6
仓库库存编号：
497-13838-1-ND
别名：497-13838-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 210A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 3.5W（Ta）, 250W（Tc） 8-PSOF
型号：
FDBL0260N100
仓库库存编号：
FDBL0260N100CT-ND
别名：FDBL0260N100CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
FDB0300N1007L
仓库库存编号：
FDB0300N1007LCT-ND
别名：FDB0300N1007LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
FDB0260N1007L
仓库库存编号：
FDB0260N1007LCT-ND
别名：FDB0260N1007LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 200A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP200N055T2
仓库库存编号：
IXTP200N055T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ200N10T
仓库库存编号：
IXTQ200N10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 365W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH410N4F7-2AG
仓库库存编号：
497-16421-1-ND
别名：497-16421-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 365W（Tc） H2PAK-6
型号：
STH410N4F7-6AG
仓库库存编号：
497-16422-1-ND
别名：497-16422-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ466E-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ466E-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ466E-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 158W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIJH440E-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJH440E-T1-GE3CT-ND
别名：SIJH440E-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ100EL-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ100EL-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ100EL-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ402E-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ402E-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM200N04-1M8_GE3
仓库库存编号：
SQM200N04-1M8_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM200N04-1M7L_GE3
仓库库存编号：
SQM200N04-1M7L_GE3-ND
别名：SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM200N04-1M1L_GE3
仓库库存编号：
SQM200N04-1M1L_GE3-ND
别名：SQM200N04-1M1L-GE3
SQM200N04-1M1L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ200N06P
仓库库存编号：
IXTQ200N06P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Tc）,
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