产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN2NF10
仓库库存编号:
497-8023-1-ND
别名:497-8023-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TRPBF
仓库库存编号:
IRFR420PBFCT-ND
别名:*IRFR420TRPBF
IRFR420PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD020PBF
仓库库存编号:
IRFD020PBF-ND
别名:*IRFD020PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R2K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU50R2K0CEBKMA1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD3NK60ZT4
仓库库存编号:
497-4102-1-ND
别名:497-4102-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU420PBF
仓库库存编号:
IRFU420PBF-ND
别名:*IRFU420PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP3NK60Z
仓库库存编号:
497-7525-5-ND
别名:497-7525-5
STP3NK60Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STP3NK60ZFP
仓库库存编号:
497-5978-5-ND
别名:497-5978-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQD3N60CTM_WSCT-ND
别名:FQD3N60CTM_WSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R2K0C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R2K0C6AKMA1-ND
别名:SP001399934
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 85W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N80
仓库库存编号:
FQP2N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR420TRLPBFCT-ND
别名:IRFR420TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD3NK60Z-1
仓库库存编号:
STD3NK60Z-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
STB3NK60ZT4
仓库库存编号:
STB3NK60ZT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 2.4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF3N90
仓库库存编号:
AOTF3N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR420TRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 55W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY2R4N50P
仓库库存编号:
IXTY2R4N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP2R4N50P
仓库库存编号:
IXTP2R4N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP2R4N120P
仓库库存编号:
IXTP2R4N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Tc) 125W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA2R4N120P
仓库库存编号:
IXTA2R4N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 125W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH2R4N120P
仓库库存编号:
IXTH2R4N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 33W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R2K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R2K0CEAUMA1-ND
别名:SP001396820
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.4A(Tc) 33W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU50R2K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU50R2K0CEAKMA1-ND
别名:SP001396816
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K0C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K0C6ATMA1-ND
别名:SP001117714
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.4A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT3PF30L
仓库库存编号:
497-8046-1-ND
别名:497-8046-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.4A(Tc),
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