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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5482DU-T1-E3
  仓库库存编号：SI5482DU-T1-E3CT-ND
  别名：SI5482DU-T1-E3CT
  SI5482DUT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5484DU-T1-E3
  仓库库存编号：SI5484DU-T1-E3CT-ND
  别名：SI5484DU-T1-E3CT
  SI5484DUT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5485DU-T1-E3
  仓库库存编号：SI5485DU-T1-E3CT-ND
  别名：SI5485DU-T1-E3CT
  SI5485DUT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5486DU-T1-E3
  仓库库存编号：SI5486DU-T1-E3CT-ND
  别名：SI5486DU-T1-E3CT
  SI5486DUT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA411DJ-T1-E3
  仓库库存编号：SIA411DJ-T1-E3CT-ND
  别名：SIA411DJ-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA417DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA417DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA417DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA419DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA419DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA419DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV12N120P
  仓库库存编号：IXFV12N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV12N120PS
  仓库库存编号：IXFV12N120PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA411DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA411DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA411DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 140W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC13N50
  仓库库存编号：IXFC13N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH12N100F
  仓库库存编号：IXFH12N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 140W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC13N50
  仓库库存编号：IXTC13N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 380W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV12N90P
  仓库库存编号：IXFV12N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 12A（Tc） 380W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV12N90PS
  仓库库存编号：IXFV12N90PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4004DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4004DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4004DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5456DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5456DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5456DU-T1-GE3CT
  SI5456DUT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5486DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5486DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5486DU-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4176DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4176DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4646DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4646DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4646DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4646DY-T1-GE3-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5480DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5480DU-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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  MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），17.8W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5481DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5481DU-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5482DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5482DU-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5484DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5484DU-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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