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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5485DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5485DU-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 2W（Ta），20W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：2SK3793-AZ
  仓库库存编号：2SK3793-AZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 12A (Tc) 2.1W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：AOD607
  仓库库存编号：AOD607-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFet 双
  
  型号：SI5429DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5429DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5429DU-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 12A（Tc） 337W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT11F80S
  仓库库存编号：APT11F80S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-204AE（TO-3）
  
  型号：JAN2N6770
  仓库库存编号：JAN2N6770-ND
  别名：JAN2N6770-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6770T1
  仓库库存编号：JAN2N6770T1-ND
  别名：JAN2N6770T1-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N7228
  仓库库存编号：JAN2N7228-ND
  别名：JAN2N7228-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-267AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JAN2N7228U
  仓库库存编号：JAN2N7228U-ND
  别名：JAN2N7228U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTX2N6770
  仓库库存编号：JANTX2N6770-ND
  别名：JANTX2N6770-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTX2N6770T1
  仓库库存编号：JANTX2N6770T1-ND
  别名：JANTX2N6770T1-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTX2N7228
  仓库库存编号：JANTX2N7228-ND
  别名：JANTX2N7228-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JANTX2N7228U
  仓库库存编号：JANTX2N7228U-ND
  别名：JANTX2N7228U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-204AE（TO-3）
  
  型号：JANTXV2N6770
  仓库库存编号：JANTXV2N6770-ND
  别名：JANTXV2N6770-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTXV2N6770T1
  仓库库存编号：JANTXV2N6770T1-ND
  别名：JANTXV2N6770T1-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTXV2N7228
  仓库库存编号：JANTXV2N7228-ND
  别名：JANTXV2N7228-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：JANTXV2N7228U
  仓库库存编号：JANTXV2N7228U-ND
  别名：JANTXV2N7228U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：2N7228
  仓库库存编号：2N7228-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V SMD1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
  
  型号：2N7228U
  仓库库存编号：2N7228U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-204AE
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：2N6770
  仓库库存编号：2N6770-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 33W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY12N06TTRL
  仓库库存编号：IXTY12N06TTRLCT-ND
  别名：IXTY12N06TTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1400V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT12N140
  仓库库存编号：IXTT12N140-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12T60PL
  仓库库存编号：785-1700-1-ND
  别名：785-1700-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M012A060FH
  仓库库存编号：GP1M012A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 231W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M012A060H
  仓库库存编号：GP2M012A060H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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