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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R330P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R330P6XKSA1-ND
  别名：SP001017074
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R299CPXKSA1-ND
  别名：IPI50R299CP
  IPI50R299CP-ND
  SP000523748
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD16N65M5
  仓库库存编号：497-8774-1-ND
  别名：497-8774-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA483DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA483DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA483DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 12A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK9832-55A/CUX
  仓库库存编号：1727-2226-1-ND
  别名：1727-2226-1
  568-12494-1
  568-12494-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA414DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA414DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA414DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD26P3LLH6
  仓库库存编号：497-13938-1-ND
  别名：497-13938-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA449DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA449DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA449DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 12A SC-70
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA440DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA440DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA440DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD12NF06T4
  仓库库存编号：497-3154-1-ND
  别名：497-3154-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9328TRPBF
  仓库库存编号：IRF9328TRPBFCT-ND
  别名：IRF9328TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT12N60
  仓库库存编号：785-1192-5-ND
  别名：785-1192-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP12N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP12N65E-GE3-ND
  别名：SIHP12N65E-GE3CT
  SIHP12N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA12N60E-E3
  仓库库存编号：SIHA12N60E-E3-ND
  别名：SIHA12N60E-E3CT
  SIHA12N60E-E3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 15.6W（Tc）
  
  型号：SIA469DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA469DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA469DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA477EDJT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA477EDJT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA477EDJT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -60V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 12A (Tc) 3.5W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  
  型号：TSM680P06DPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM680P06DPQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM680P06DPQ56 RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -60V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 12A (Tc) 3.5W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  
  型号：TSM680P06DPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM680P06DPQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM680P06DPQ56 RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -60V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 12A (Tc) 3.5W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  
  型号：TSM680P06DPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM680P06DPQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM680P06DPQ56 RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 39W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF11N50ZH
  仓库库存编号：NDF11N50ZHOS-ND
  别名：NDF11N50ZH-ND
  NDF11N50ZHOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NM50
  仓库库存编号：497-2666-5-ND
  别名：497-2666-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF14N80K5
  仓库库存编号：STF14N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF12N60L
  仓库库存编号：785-1788-ND
  别名：785-1788
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：STP14N80K5
  仓库库存编号：STP14N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI13N80K5
  仓库库存编号：497-15374-5-ND
  别名：497-15374-5
  STFI13N80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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