产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 178W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG10N60SCT
仓库库存编号：
DMG10N60SCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N60E-E3
仓库库存编号：
SIHP12N60E-E3-ND
别名：SIHP12N60EE3
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
AOT12N50
仓库库存编号：
785-1240-5-ND
别名：785-1240-5
AOT12N50-ND
Q5225971
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 156W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB12N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N65E-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA12N50P
仓库库存编号：
IXTA12N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R280P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R280P7SXKSA1-ND
别名：SP001658160
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R280P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R280P7SXKSA1-ND
别名：SP001658180
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R280P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R280P7XKSA1-ND
别名：SP001658302
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP60R280P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R280P7XKSA1-ND
别名：SP001647026
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP12N50P
仓库库存编号：
IXFP12N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA12N50P
仓库库存编号：
IXFA12N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP12N50P
仓库库存编号：
IXTP12N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB12N50C-E3
仓库库存编号：
SIHB12N50C-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 36W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF12N50C-E3
仓库库存编号：
SIHF12N50C-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ12N80P
仓库库存编号：
IXFQ12N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N80P
仓库库存编号：
IXFH12N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT11F80B
仓库库存编号：
APT11F80B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 463W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N100P
仓库库存编号：
IXFH12N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N90P
仓库库存编号：
IXFH12N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N150
仓库库存编号：
IXTH12N150-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
型号：
IXTT12N150
仓库库存编号：
IXTT12N150-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N120P
仓库库存编号：
IXFH12N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N90
仓库库存编号：
IXTH12N90-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N90
仓库库存编号：
IXFH12N90-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N100Q
仓库库存编号：
IXFH12N100Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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