产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 2A(Tc) 1W(Ta),10W(Tc) U-G2
型号:
2SJ058200L
仓库库存编号:
2SJ058200LCT-ND
别名:2SJ058200LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 2A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3N40TU
仓库库存编号:
FQU3N40TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N40TM
仓库库存编号:
FQD3N40TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3N40TF
仓库库存编号:
FQD3N40TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 400V 2A(Tc) 63W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2P40
仓库库存编号:
FQP2P40-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 2A(Tc) 3.13W(Ta),63W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2P40TM
仓库库存编号:
FQB2P40TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60TM
仓库库存编号:
FQD2N60TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60TF
仓库库存编号:
FQD2N60TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 34W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N60
仓库库存编号:
FQPF3N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N60TU
仓库库存编号:
FQU2N60TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 30W(Tc) D-Pak
型号:
FDD3N40TF
仓库库存编号:
FDD3N40TFCT-ND
别名:FDD3N40TFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 74W(Tc) TO-220
型号:
AOT2N60
仓库库存编号:
785-1185-5-ND
别名:785-1185-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2N60
仓库库存编号:
AOTF2N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2C60
仓库库存编号:
785-1662-1-ND
别名:785-1662-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 2A(Tc) 30W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M003A040CG
仓库库存编号:
GP1M003A040CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 2A(Tc) 30W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A040PG
仓库库存编号:
GP1M003A040PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 52.1W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M002A060CG
仓库库存编号:
GP2M002A060CG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 52.1W(Tc) TO-220
型号:
GP2M002A060HG
仓库库存编号:
GP2M002A060HG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 52.1W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M002A060PG
仓库库存编号:
GP2M002A060PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M002A060FG
仓库库存编号:
1560-1193-5-ND
别名:1560-1193-1
1560-1193-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 57W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU2N60A
仓库库存编号:
AOU2N60A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2N60L
仓库库存编号:
AOTF2N60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU2N60_001
仓库库存编号:
AOU2N60_001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 44W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM2NB60CH C5G
仓库库存编号:
TSM2NB60CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 44W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM2NB60CP ROG
仓库库存编号:
TSM2NB60CP ROGTR-ND
别名:TSM2NB60CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Tc),
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