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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4682DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4682DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4682DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4682DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4684DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4684DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4684DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4684DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 16A（Tc） 3.1W（Ta），17.8W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5479DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5479DU-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 5W（Ta），41.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7196DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7196DP-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7601DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7601DN-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 16A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-microfoot
  
  型号：SI8416DB-T1-GE3
  仓库库存编号：SI8416DB-T1-GE3CT-ND
  别名：SI8416DB-T1-GE3CT
  SI8416DBT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT15F60S
  仓库库存编号：APT15F60S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 16A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M016A025PG
  仓库库存编号：GP1M016A025PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M016A060FH
  仓库库存编号：GP1M016A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M016A025CG
  仓库库存编号：1560-1183-1-ND
  别名：1560-1183-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 16A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M016A025FG
  仓库库存编号：1560-1184-5-ND
  别名：1560-1184-1
  1560-1184-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 250V 16A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M016A025HG
  仓库库存编号：1560-1185-5-ND
  别名：1560-1185-1
  1560-1185-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M016A060F
  仓库库存编号：1560-1186-5-ND
  别名：1560-1186-1
  1560-1186-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 16A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M016A060H
  仓库库存编号：1560-1187-5-ND
  别名：1560-1187-1
  1560-1187-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M016A060N
  仓库库存编号：1560-1188-5-ND
  别名：1560-1188-1
  1560-1188-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRL
  仓库库存编号：IRFR3910TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20D
  仓库库存编号：IRFS17N20D-ND
  别名：*IRFS17N20D
  SP001557226
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3910
  仓库库存编号：IRFU3910-ND
  别名：*IRFU3910
  SP001578418
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB17N20D
  仓库库存编号：IRFB17N20D-ND
  别名：*IRFB17N20D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL17N20D
  仓库库存编号：IRFSL17N20D-ND
  别名：*IRFSL17N20D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRR
  仓库库存编号：IRFR3910TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DTRL
  仓库库存编号：IRFS17N20DTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DTRR
  仓库库存编号：IRFS17N20DTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
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