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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD35NF06LT4
  仓库库存编号：497-7965-1-ND
  别名：497-7965-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 210W（Tc） TO-247
  
  型号：STW45N65M5
  仓库库存编号：497-12938-5-ND
  别名：497-12938-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7615ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7615ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7615ADN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS410DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS410DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS410DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7625DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7625DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7625DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7101DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7101DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7101DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS443DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS443DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS443DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7615DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7615DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7615DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS402DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS402DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS402DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 35A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB45N50DM2AG
  仓库库存编号：497-16134-1-ND
  别名：497-16134-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 113W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C3M0065090J
  仓库库存编号：C3M0065090J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW43NM60ND
  仓库库存编号：497-8461-5-ND
  别名：497-8461-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Cree/Wolfspeed
  1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
  详细描述：N 沟道 35A（Tc） 113.5W（Tc） TO-247-4L
  
  型号：C3M0065100K
  仓库库存编号：C3M0065100K-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 39W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8778
  仓库库存编号：FDD8778CT-ND
  别名：FDD8778CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8780
  仓库库存编号：FDD8780CT-ND
  别名：FDD8780CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7102DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7102DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7102DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD35N10-26P-GE3
  仓库库存编号：SUD35N10-26P-GE3CT-ND
  别名：SUD35N10-26P-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76423P3
  仓库库存编号：HUF76423P3FS-ND
  别名：HUF76423P3-ND
  HUF76423P3FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF45N65M5
  仓库库存编号：497-12939-5-ND
  别名：497-12939-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247
  
  型号：STW47NM60ND
  仓库库存编号：497-13126-5-ND
  别名：497-13126-5
  STW47NM60ND-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS456DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS456DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS456DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD25CN10NGATMA1CT-ND
  别名：IPD25CN10NGATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4615PBF
  仓库库存编号：IRFB4615PBF-ND
  别名：SP001565882
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6035ENZ1C9
  仓库库存编号：R6035ENZ1C9-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6035ENZC8
  仓库库存编号：R6035ENZC8-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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