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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N50P
  仓库库存编号：IXFR64N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 35A（Tc） 403W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT5014SLLG
  仓库库存编号：APT5014SLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK35N50
  仓库库存编号：IXFK35N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 35A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT34F100L
  仓库库存编号：APT34F100L-ND
  别名：APT34F100LMI
  APT34F100LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 500W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6017LLLG
  仓库库存编号：APT6017LLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 500W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6017LFLLG
  仓库库存编号：APT6017LFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 35A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT34F100B2
  仓库库存编号：APT34F100B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN40N110Q3
  仓库库存编号：IXFN40N110Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR540ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR540ZTRPBF-ND
  别名：SP001578120
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR540ZTRLPBF
  仓库库存编号：IRFR540ZTRLPBF-ND
  别名：SP001567620
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB35N10S3L26ATMA1
  仓库库存编号：IPB35N10S3L26ATMA1-ND
  别名：SP000776044
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR540ZPBF
  仓库库存编号：IRFR540ZPBF-ND
  别名：SP001555140
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） DPAK
  
  型号：AUIRFR540ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFR540ZTRLTR-ND
  别名：AUIRFR540ZTRLTR
  SP001520296
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA126N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA126N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPA1-ND26N10N3GXKSA1-ND
  IPA126N10N3 G
  IPA126N10N3 G-ND
  IPA126N10N3G
  IPA26N10N3GXKSA1-ND
  SP000485964
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 35A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRFU540Z
  仓库库存编号：AUIRFU540Z-ND
  别名：SP001519728
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO263-5
  
  型号：BTS244ZE3062AATMA2
  仓库库存编号：BTS244ZE3062AATMA2-ND
  别名：SP000910844
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5
  
  型号：BTS244ZE3043AKSA2
  仓库库存编号：BTS244ZE3043AKSA2-ND
  别名：SP000969782
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R060C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R060C7ATMA1-ND
  别名：SP001385008
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R060C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R060C7XKSA1-ND
  别名：SP001385014
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R060C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R060C7XKSA1-ND
  别名：SP001385020
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 162W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R060C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R060C7XKSA1-ND
  别名：SP001385028
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD35N3LH5
  仓库库存编号：497-10956-1-ND
  别名：497-10956-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Tc） 5W（Ta），80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL35N6F3
  仓库库存编号：497-11848-1-ND
  别名：497-11848-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 35A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH35N30
  仓库库存编号：IXFH35N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 93W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75321S3S
  仓库库存编号：HUF75321S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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