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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 35A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 35A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP34NQ11T,127
  仓库库存编号：PHP34NQ11T,127-ND
  别名：934058503127
  PHP34NQ11T
  PHP34NQ11T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 136W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD34NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD34NQ10T,118-ND
  别名：934055807118
  PHD34NQ10T /T3
  PHD34NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5-3
  
  型号：BTS244ZNKSA1
  仓库库存编号：BTS244ZNKSA1-ND
  别名：BTS244Z
  BTS244Z-ND
  BTS244ZNK
  SP000012177
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） P-TO220-5
  
  型号：BTS244Z E3043
  仓库库存编号：BTS244Z E3043-ND
  别名：BTS244ZE3043
  BTS244ZE3043AKSA1
  BTS244ZE3043NK
  SP000012178
  SP000399006
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5-62
  
  型号：BTS244Z E3062A
  仓库库存编号：BTS244Z E3062A-ND
  别名：BTS244ZE3062AATMA1
  BTS244ZE3062ANT
  BTS244ZE3062AT
  SP000012180
  SP000399004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP26CN10NGHKSA1
  仓库库存编号：IPP26CN10NGHKSA1-ND
  别名：IPP26CN10N G
  IPP26CN10N G-ND
  IPP26CN10NGX
  IPP26CN10NGXK
  SP000096471
  SP000680922
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP26CNE8N G
  仓库库存编号：IPP26CNE8N G-ND
  别名：IPP26CNE8NGX
  IPP26CNE8NGXK
  SP000096472
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10 G
  仓库库存编号：SPB35N10 G-ND
  别名：SP000102172
  SPB35N10GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI35N10
  仓库库存编号：SPI35N10-ND
  别名：SP000013852
  SPI35N10X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD105N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD105N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD105N03LGINCT
  IPD105N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR540ZTRRPBF
  仓库库存编号：IRFR540ZTRRPBF-ND
  别名：SP001557092
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU540ZPBF
  仓库库存编号：IRFU540ZPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP096N03L G
  仓库库存编号：IPP096N03LGIN-ND
  别名：IPP096N03LGIN
  IPP096N03LGXK
  SP000254737
  SP000680854
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS105N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS105N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS105N03L G
  IPS105N03LG
  IPS105N03LGIN
  IPS105N03LGIN-ND
  IPS105N03LGXK
  SP000264172
  SP000788218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU105N03L G
  仓库库存编号：IPU105N03LGIN-ND
  别名：IPU105N03LGIN
  IPU105N03LGXK
  SP000271466
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB096N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB096N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPB096N03LGINCT
  IPB096N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB26CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB26CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB26CN10N G
  IPB26CN10N G-ND
  SP000277692
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-263
  
  型号：IPB26CNE8N G
  仓库库存编号：IPB26CNE8N G-ND
  别名：SP000292948
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CNE8N G
  仓库库存编号：IPD25CNE8N G-ND
  别名：SP000096457
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI26CN10N G
  仓库库存编号：IPI26CN10N G-ND
  别名：SP000208932
  SP000680726
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI26CNE8N G
  仓库库存编号：IPI26CNE8N G-ND
  别名：SP000208935
  SP000680728
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
  别名：IPD25CN10N GCT
  IPD25CN10N GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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