产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M010A060F
仓库库存编号:
1560-1206-5-ND
别名:1560-1206-1
1560-1206-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M010A060FH
仓库库存编号:
GP1M010A060FH-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M010A080N
仓库库存编号:
GP1M010A080N-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 51.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M011A050FSH
仓库库存编号:
GP1M011A050FSH-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 158W(Tc) TO-220
型号:
GP1M011A050HS
仓库库存编号:
GP1M011A050HS-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 198W(Tc) TO-220
型号:
GP2M010A060H
仓库库存编号:
GP2M010A060H-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 198W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A060H
仓库库存编号:
1560-1175-5-ND
别名:1560-1175-1
1560-1175-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
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