产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NM60N
仓库库存编号:
497-5887-5-ND
别名:497-5887-5
STP11NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STD11NM60N-1
仓库库存编号:
497-5963-5-ND
别名:497-5963-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STB11NM60N-1
仓库库存编号:
STB11NM60N-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STB12NM60N-1
仓库库存编号:
STB12NM60N-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12NM60N
仓库库存编号:
497-7466-5-ND
别名:497-7466-5
STF12NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12NM60N
仓库库存编号:
497-7503-5-ND
别名:497-7503-5
STP12NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) TO-247-3
型号:
STW12NM60N
仓库库存编号:
497-7615-5-ND
别名:497-7615-5
STW12NM60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STU11NM60ND
仓库库存编号:
STU11NM60ND-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STI11NM60ND
仓库库存编号:
STI11NM60ND-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
STW12NK60Z
仓库库存编号:
497-10995-5-ND
别名:497-10995-5
STW12NK60Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 10A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 525V 10A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11N52K3
仓库库存编号:
497-11864-5-ND
别名:497-11864-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 10A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP10N65K3
仓库库存编号:
STP10N65K3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BSP030,115
仓库库存编号:
568-6218-1-ND
别名:568-6218-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740
仓库库存编号:
IRF740IR-ND
别名:*IRF740
IRF740IR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ14
仓库库存编号:
IRLZ14-ND
别名:*IRLZ14
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ14
仓库库存编号:
IRFZ14-ND
别名:*IRFZ14
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740S
仓库库存编号:
IRF740S-ND
别名:*IRF740S
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH10N90
仓库库存编号:
IXFH10N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH10N100
仓库库存编号:
IXFH10N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740A
仓库库存编号:
IRF740A-ND
别名:*IRF740A
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740AS
仓库库存编号:
IRF740AS-ND
别名:*IRF740AS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740STRL
仓库库存编号:
IRF740STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14S
仓库库存编号:
IRFZ14S-ND
别名:*IRFZ14S
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) TO-262-3
型号:
IRLZ14L
仓库库存编号:
IRLZ14L-ND
别名:*IRLZ14L
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ14S
仓库库存编号:
IRLZ14S-ND
别名:*IRLZ14S
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
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