产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF740AL
仓库库存编号:
IRF740AL-ND
别名:*IRF740AL
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740ASTRL
仓库库存编号:
IRF740ASTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740ASTRR
仓库库存编号:
IRF740ASTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) I2PAK
型号:
IRF740LCL
仓库库存编号:
IRF740LCL-ND
别名:*IRF740LCL
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740LC
仓库库存编号:
IRF740LC-ND
别名:*IRF740LC
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) D2PAK
型号:
IRF740LCS
仓库库存编号:
IRF740LCS-ND
别名:*IRF740LCS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) D2PAK
型号:
IRF740LCSTRL
仓库库存编号:
IRF740LCSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) D2PAK
型号:
IRF740LCSTRR
仓库库存编号:
IRF740LCSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740L
仓库库存编号:
IRF740L-ND
别名:*IRF740L
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF740STRR
仓库库存编号:
IRF740STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ10
仓库库存编号:
IRFZ10-ND
别名:*IRFZ10
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFZ14L
仓库库存编号:
IRFZ14L-ND
别名:*IRFZ14L
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14STRL
仓库库存编号:
IRFZ14STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14STRR
仓库库存编号:
IRFZ14STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ14STRL
仓库库存编号:
IRLZ14STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ14STRR
仓库库存编号:
IRLZ14STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR12N100
仓库库存编号:
IXFR12N100-ND
别名:Q1157068A
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 1.75W(Ta),40W(Tc) DPAK
型号:
MTD10N10ELT4
仓库库存编号:
MTD10N10ELT4OSCT-ND
别名:MTD10N10ELT4OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC740PBF
仓库库存编号:
IRC740PBF-ND
别名:*IRC740PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 1.75W(Ta),40W(Tc) TO-220AB
型号:
MTP10N10ELG
仓库库存编号:
MTP10N10ELGOS-ND
别名:MTP10N10ELGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N06TU
仓库库存编号:
FQU13N06TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N10TU
仓库库存编号:
FQU13N10TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10TF
仓库库存编号:
FQD13N10TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10LTF
仓库库存编号:
FQD13N10LTF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N06TF
仓库库存编号:
FQD13N06TF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc),
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