产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 31A(Tc) 565W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT8024LLLG
仓库库存编号:
APT8024LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 5A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 31A(Tc) 2.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6454A
仓库库存编号:
AON6454A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
94-4582
仓库库存编号:
94-4582-ND
别名:*IRF5305S
IRF5305S
IRF5305S-ND
SP001520922
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5305
仓库库存编号:
IRFU5305-ND
别名:*IRFU5305
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5305STRR
仓库库存编号:
IRF5305STRR-ND
别名:Q971401A
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL31N20D
仓库库存编号:
IRFSL31N20D-ND
别名:*IRFSL31N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF5305L
仓库库存编号:
IRF5305L-ND
别名:*IRF5305L
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305TRL
仓库库存编号:
IRFR5305TRL-ND
别名:SP001557064
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305TRR
仓库库存编号:
IRFR5305TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS31N20DTRL
仓库库存编号:
IRFS31N20DTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS31N20DTRR
仓库库存编号:
IRFS31N20DTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 31A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2910
仓库库存编号:
IRLI2910-ND
别名:*IRLI2910
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3410
仓库库存编号:
IRFU3410-ND
别名:*IRFU3410
Q1434118
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305CPBF
仓库库存编号:
IRFR5305CPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF5305LPBF
仓库库存编号:
IRF5305LPBF-ND
别名:SP001574828
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Tc),
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