产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL540L
仓库库存编号:
IRL540L-ND
别名:*IRL540L
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540STRL
仓库库存编号:
IRL540STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRL540STRR
仓库库存编号:
IRL540STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 28A(Tc) 500W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE30NK90Z
仓库库存编号:
497-4336-5-ND
别名:497-4336-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC540PBF
仓库库存编号:
IRC540PBF-ND
别名:*IRC540PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 28A(Tc) 3.13W(Ta),156W(Tc) I2PAK
型号:
FQI32N20CTU
仓库库存编号:
FQI32N20CTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 28A(Tc) 3.13W(Ta),156W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB32N20CTM
仓库库存编号:
FQB32N20CTM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 28A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10035B2LLG
仓库库存编号:
APT10035B2LLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 28A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 28A(Tc) 277W(Tc) SP1
型号:
APTC80DA15T1G
仓库库存编号:
APTC80DA15T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 28A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 28A(Tc) 277W(Tc) SP1
型号:
APTC80SK15T1G
仓库库存编号:
APTC80SK15T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 28A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP32N20C_F080
仓库库存编号:
FQP32N20C_F080-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF540A
仓库库存编号:
IRF540A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFW540ATM
仓库库存编号:
IRFW540ATM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 121W(Tc) TO-220-3
型号:
IRL540A
仓库库存编号:
IRL540A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7457DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7457DP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7457DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7457DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 28A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 28A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP28N15-52-E3
仓库库存编号:
SUP28N15-52-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD
型号:
APT5020BN
仓库库存编号:
APT5020BN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD
型号:
APT5020BNFR
仓库库存编号:
APT5020BNFR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 28A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34E
仓库库存编号:
IRFZ34E-ND
别名:*IRFZ34E
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
94-2335
仓库库存编号:
94-2335-ND
别名:*IRLR2705
IRLR2705
IRLR2705-ND
SP001521442
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2705
仓库库存编号:
IRLU2705-ND
别名:*IRLU2705
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TRL
仓库库存编号:
IRLR2705TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TR
仓库库存编号:
IRLR2705TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 28A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34EPBF
仓库库存编号:
IRFZ34EPBF-ND
别名:*IRFZ34EPBF
SP001567916
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Tc),
无铅
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