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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH58N20
  仓库库存编号：IXFH58N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 330W（Tc） TO-247-4L
  
  型号：STW69N65M5-4
  仓库库存编号：497-14039-5-ND
  别名：497-14039-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M65JFLL
  仓库库存编号：APT50M65JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 58A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ858AEP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ858AEP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8729TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8729TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8729TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 3.6W（Ta），31.2W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA14DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA14DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA14DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 79W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW69N65M5
  仓库库存编号：497-12977-5-ND
  别名：497-12977-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 58A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 330W（Tc） TO-247
  
  型号：STW69N65M5
  仓库库存编号：497-12987-5-ND
  别名：497-12987-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 730W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APL502LG
  仓库库存编号：APL502LG-ND
  别名：APL502LGMI
  APL502LGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 58A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 58A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y13-40B,115
  仓库库存编号：1727-4938-1-ND
  别名：1727-4938-1
  568-6232-1
  568-6232-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7884BDP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7884BDP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7884BDP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 58A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRF60R217
  仓库库存编号：IRF60R217CT-ND
  别名：IRF60R217CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT50M65JLL
  仓库库存编号：APT50M65JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M75JFLL
  仓库库存编号：APT60M75JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP6412ANG
  仓库库存编号：NTP6412ANGOS-ND
  别名：NTP6412ANG-ND
  NTP6412ANGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JU2
  仓库库存编号：APT58M50JU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 96W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E13-60E,127
  仓库库存编号：1727-7240-ND
  别名：1727-7240
  568-9847-5
  568-9847-5-ND
  934066633127
  BUK7E1360E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP126N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP126N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP126N10N3 G
  IPP126N10N3 G-ND
  SP000683088
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7613-60E,118
  仓库库存编号：1727-7250-1-ND
  别名：1727-7250-1
  568-9879-1
  568-9879-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB123N10N3 G
  仓库库存编号：IPB123N10N3 GCT-ND
  别名：IPB123N10N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7884BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7884BDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7884BDP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK58A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK58A06N1S4X-ND
  别名：TK58A06N1,S4X(S
  TK58A06N1,S4X-ND
  TK58A06N1S4X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 167W（Tc） D2PAK-3
  
  型号：NVB6412ANT4G
  仓库库存编号：NVB6412ANT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH58N20Q
  仓库库存编号：IXFH58N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT58N20Q
  仓库库存编号：IXFT58N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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