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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT58N20
  仓库库存编号：IXFT58N20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JU3
  仓库库存编号：APT58M50JU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 59A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JCU2
  仓库库存编号：APT58M50JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58F50J
  仓库库存编号：APT58F50J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58M50J
  仓库库存编号：APT58M50J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 58A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APL502B2G
  仓库库存编号：APL502B2G-ND
  别名：APL502B2GMI
  APL502B2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M75JLL
  仓库库存编号：APT60M75JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 100V 58A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 4.3W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：AUIRFN7110TR
  仓库库存编号：AUIRFN7110TR-ND
  别名：SP001517416
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 167W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB6412ANT4G
  仓库库存编号：NTB6412ANT4GOSCT-ND
  别名：NTB6412ANT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT58MJ50J
  仓库库存编号：APT58MJ50J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT58N20Q TRL
  仓库库存编号：IXFT58N20Q TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120N10PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM120N10PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM120N10PQ56 RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120N10PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM120N10PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM120N10PQ56 RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM120N10PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM120N10PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM120N10PQ56 RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 58A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI2505
  仓库库存编号：IRLI2505-ND
  别名：*IRLI2505
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI126N10N3 G
  仓库库存编号：IPI126N10N3 G-ND
  别名：IPI126N10N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 58A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 58A（Tc） 55W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU8729-701PBF
  仓库库存编号：IRLU8729-701PBF-ND
  别名：IRLU8729PBF
  IRLU8729PBF-ND
  SP001552984
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 58A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7514-60E,127
  仓库库存编号：568-9836-5-ND
  别名：568-9836-5
  934066468127
  BUK751460E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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