产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(218)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(2)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(216)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (29)
Central Semiconductor Corp (1)
Diodes Incorporated (2)
Global Power Technologies Group (12)
Infineon Technologies (18)
IXYS (23)
Microsemi Corporation (3)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (26)
ON Semiconductor (1)
Rohm Semiconductor (7)
STMicroelectronics (45)
Taiwan Semiconductor Corporation (27)
Vishay Siliconix (23)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 114W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N60P3
仓库库存编号:
IXFA4N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 89W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA4N60P
仓库库存编号:
IXTA4N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP7N60PM
仓库库存编号:
IXTP7N60PM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 195W(Tc) TO-247
型号:
AOK5N100L
仓库库存编号:
785-1425-5-ND
别名:785-1425-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 195W(Tc) TO-247
型号:
AOK5N100
仓库库存编号:
AOK5N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 89W(Tc) TO-252
型号:
IXTY4N60P
仓库库存编号:
IXTY4N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP8N50PM
仓库库存编号:
IXTP8N50PM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP4N100P
仓库库存编号:
IXFP4N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N100P
仓库库存编号:
IXFA4N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 280W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH4N150
仓库库存编号:
IXTH4N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH4N100Q
仓库库存编号:
IXFH4N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-268
型号:
IXFT4N100Q
仓库库存编号:
IXFT4N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750V 4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R2K1CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R2K1CEATMA1-ND
别名:SP001664860
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R2K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R2K0CEAUMA1-ND
别名:SP001466914
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R2K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R2K0CEAKMA1-ND
别名:SP001605400
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820
仓库库存编号:
497-2733-5-ND
别名:497-2733-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NB80
仓库库存编号:
497-2781-5-ND
别名:497-2781-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4A(Tc) 2W(Tc) 8-SO
型号:
STS4DNFS30L
仓库库存编号:
497-3227-1-ND
别名:497-3227-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 4A(Tc) 40W(Tc) TO-220
型号:
STFV4N150
仓库库存编号:
497-5093-5-ND
别名:497-5093-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
STS4NF100
仓库库存编号:
497-8043-1-ND
别名:497-8043-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 950V 4A(Tc) 90W(Tc) TO-220
型号:
STP5N95K3
仓库库存编号:
497-10992-5-ND
别名:497-10992-5
STP5N95K3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9510
仓库库存编号:
IRF9510-ND
别名:*IRF9510
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510S
仓库库存编号:
IRF9510S-ND
别名:*IRF9510S
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI620G
仓库库存编号:
IRLI620G-ND
别名:*IRLI620G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号