产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 417W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT34N80B2C3G
仓库库存编号:
APT34N80B2C3G-ND
别名:APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 34A(Tc) 417W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT34N80LC3G
仓库库存编号:
APT34N80LC3G-ND
别名:APT34N80LC3GMI
APT34N80LC3GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 34A(Tc) 624W(Tc) TO-247-3
型号:
APT34F60BG
仓库库存编号:
APT34F60BG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 34A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM120DA29TG
仓库库存编号:
APTM120DA29TG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 34A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM120SK29TG
仓库库存编号:
APTM120SK29TG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 34A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-254AA
型号:
JAN2N7224
仓库库存编号:
JAN2N7224-ND
别名:JAN2N7224-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-267AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 34A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-267AB
型号:
JAN2N7224U
仓库库存编号:
JAN2N7224U-ND
别名:JAN2N7224U-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 34A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-254AA
型号:
JANTX2N7224
仓库库存编号:
JANTX2N7224-ND
别名:JANTX2N7224-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 34A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-267AB
型号:
JANTX2N7224U
仓库库存编号:
JANTX2N7224U-ND
别名:JANTX2N7224U-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 34A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-254AA
型号:
JANTXV2N7224
仓库库存编号:
JANTXV2N7224-ND
别名:JANTXV2N7224-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 34A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-267AB
型号:
JANTXV2N7224U
仓库库存编号:
JANTXV2N7224U-ND
别名:JANTXV2N7224U-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-254AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 34A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-254AA
型号:
2N7224
仓库库存编号:
2N7224-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A SMD1
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 34A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-267AB
型号:
2N7224U
仓库库存编号:
2N7224U-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc),
含铅
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