产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT7M120B
仓库库存编号:
APT7M120B-ND
别名:APT7M120BMI
APT7M120BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT8M100B
仓库库存编号:
APT8M100B-ND
别名:APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 335W(Tc) D3Pak
型号:
APT7M120S
仓库库存编号:
APT7M120S-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT8M80K
仓库库存编号:
APT8M80K-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6796
仓库库存编号:
JAN2N6796-ND
别名:JAN2N6796-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6796U
仓库库存编号:
JAN2N6796U-ND
别名:JAN2N6796U-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JANTX2N6796
仓库库存编号:
JANTX2N6796-ND
别名:JANTX2N6796-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTX2N6796U
仓库库存编号:
JANTX2N6796U-ND
别名:JANTX2N6796U-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JANTXV2N6796
仓库库存编号:
JANTXV2N6796-ND
别名:JANTXV2N6796-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTXV2N6796U
仓库库存编号:
JANTXV2N6796U-ND
别名:JANTXV2N6796U-MIL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
2N6796
仓库库存编号:
2N6796-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6796U
仓库库存编号:
2N6796U-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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